用于三稳态存储的存储单元

1.一种用于三稳态存储的存储单元，其特征在于，包括：第一匀质反相器，所述第一匀质反相器由第一双极型场效应晶体管构成，用于存储三进制数据；第二匀质反相器，所述第二匀质反相器由第二双极型场效应晶体管构成，用于存储三进制数据，其中，所述第一双极型场效应晶体管和所述第二双极型场效应晶体管均包括上拉管和下拉管；其中，所述第一匀质反相器和所述第二匀质反相器的沟长相同，所述第一匀质反相器的输入端口与所述第二匀质反相器的输出端口相连，得到节点电压Vx，所述第二匀质反相器的输入端口与所述第一匀质反相器的输出端口相连，得到节点电压Vy，以在所述节点电压Vx和所述节点电压Vy呈现稳态时，所述第一匀质反相器和所述第二匀质反相器交叉连接，用于三稳态存储；其中，所述第一匀质反相器和所述第二匀质反相器为顺置反相器或者倒置反相器；所述节点电压Vx和所述节点电压Vy呈现稳态包括两个顺置反相器交叉连接呈现的(0，1)稳态或者(1，0)稳态，或者两个倒置反相器交叉连接呈现的(1，2)稳态或者(2，1)稳态，或者一个顺置反相器和一个倒置反相器交叉连接呈现的(2，0)稳态或者(0，2)稳态。 2.根据权利要求1所述的用于三稳态存储的存储单元，其特征在于，所述第一匀质反相器的第一供电端F1和第二供电端NF1及所述第二匀质反相器的第三供电端F2和第四供电端NF2供电。 3.根据权利要求2所述的用于三稳态存储的存储单元，其特征在于，所述第二供电端NF1和所述第四供电端NF2固定代表所述第一供电端F1和所述第三供电端F2电平相对于供电电平的余数。 4.根据权利要求1所述的用于三稳态存储的存储单元，其特征在于，所述倒置反相器的上拉下拉网络比例等于所述顺置反相器的上拉下拉网络比例的倒数。