一种旁路开关高频耐压试验电路、方法及装置

1.一种旁路开关高频耐压试验方法，其特征在于，所述旁路开关高频耐压试验方法基于旁路开关高频耐压试验电路，所述电路包括交流调压装置、升压变压器、整流器、直流电容、IGBT串联模块和放电限流电阻，所述IGBT串联模块包括串联的第一IGBT模块和第二IGBT模块；所述交流调压装置的输入端接入交流电网，所述升压变压器的原边连接所述交流调压装置的输出端，所述升压变压器的副边连接所述整流器的交流侧，所述整流器的直流侧连接所述直流电容且在低压端接地，所述直流电容连接所述第一IGBT模块和所述第二IGBT模块，所述放电限流电阻的一端连接于所述第一IGBT模块和所述第二IGBT模块之间，且放电限流电阻的另一端连接旁路开关的一端，所述旁路开关的另一端连接所述第二IGBT模块；所述方法包括：调节交流调压装置的输出以使得直流电容的电压充到预置电压幅值；对所述第一IGBT模块和第二IGBT模块发送解锁信号，调节第一IGBT模块和第二IGBT模块的开关频率使得输出电压频率为预置电压频率阈值；对旁路开关支路电流进行监测，根据所述旁路开关支路电流判断旁路开关是否发生击穿；若所述旁路开关发生击穿，向所述第二IGBT模块发送闭锁信号，触发所述第一IGBT模块导通，以将直流电容能量注入所述旁路开关，同时控制所述交流调压装置关闭。 2.根据权利要求1所述的旁路开关高频耐压试验方法，其特征在于，所述第一IGBT模块的集电极连接所述直流电容的高压端，所述第一IGBT模块的发射极连接所述第二IGBT模块的集电极，所述第二IGBT模块的发射极接地。 3.根据权利要求1所述的旁路开关高频耐压试验方法，其特征在于，所述第一IGBT模块包括多个串联的IGBT。 4.根据权利要求3所述的旁路开关高频耐压试验方法，其特征在于，所述第二IGBT模块包括多个串联的IGBT。 5.根据权利要求4所述的旁路开关高频耐压试验方法，其特征在于，所述第一IGBT模块配置有第一驱动电路和第一取能电路，所述第二IGBT模块配置有第二驱动电路和第二取能电路。 6.根据权利要求1所述的旁路开关高频耐压试验方法，其特征在于，所述交流调压装置为电子式调压装置。 7.根据权利要求1所述的旁路开关高频耐压试验方法，其特征在于，所述第一IGBT模块和所述第二IGBT模块触发脉冲相位相反，并且有20us死区时间。 8.一种旁路开关高频耐压试验装置，其特征在于，包括处理器以及用于存储处理器可执行指令的存储器，所述处理器被配置为执行所述指令时实现如权利要求1所述的旁路开关高频耐压试验方法。 9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序指令，所述计算机程序指令被处理器执行时实现如权利要求1所述的旁路开关高频耐压试验方法。