1.一种探测频段可调的太赫兹探测装置，其特征在于，包括：衬底基板，具有相对设置的第一表面和第二表面；检测器，设置在所述衬底基板的第一表面，用于检测第一频段范围的太赫兹信号；可调谐滤波器，设置在所述衬底基板的第二表面，用于对所述第一频段范围的太赫兹信号进行滤波，使所述检测器检测到第二频段范围的太赫兹信号，所述第二频段范围通过加载在所述可调谐滤波器的偏置电压进行调节，以使所述第二频段范围在所述第一频段范围内变化，其中，所述可调谐滤波器包括：电极，用于加载所述偏置电压；滤波单元，包括与所述电极电连接的多个双开口环形件，所述多个双开口环形件形成多个串联阵列，所述多个串联阵列通过并联的方式与所述电极连接。
2.根据权利要求1所述的太赫兹探测装置，其特征在于，每一个所述双开口环形件的两个开口相对设置，所述两个开口所在方向与所述电极长度方向平行。
3.根据权利要求1所述的太赫兹探测装置，其特征在于，制造所述电极的材料包括金属材料，制造所述滤波单元的材料包括超导材料。
4.根据权利要求1所述的太赫兹探测装置，其特征在于，所述检测器包括敏感单元和检测天线，其中，通过调整所述检测天线的尺寸以调节所述第一频段范围。
5.根据权利要求4所述的太赫兹探测装置，其特征在于，制造所述敏感单元的材料包括超导材料，制造所述检测天线的材料包括金属材料。
6.根据权利要求5所述的太赫兹探测装置，其特征在于，制造所述检测天线的材料包括铌、氮化铌。
7.根据权利要求4所述的太赫兹探测装置，其特征在于，所述检测天线包括对数螺旋天线、对数周期天线、碟形天线、双缝天线中的一种。
8.根据权利要求1所述的太赫兹探测装置，其特征在于，还包括偏置电路，用于调节加载在所述可调谐滤波器上的偏置电压。
9.一种太赫兹成像设备，其特征在于，包括：透镜，用于对太赫兹信号进行聚焦；如权利要求1至8中任一项所述的太赫兹探测装置；密闭制冷设备，用于安装所述太赫兹探测装置；以及处理器，用于处理所述太赫兹探测装置接收的太赫兹信号，以生成探测图像。
10.一种太赫兹探测装置的制造方法，其特征在于，包括：形成衬底基板，所述衬底基板具有相对设置的第一表面和第二表面；在所述衬底基板的第一表面形成检测器，所述检测器用于检测第一频段范围的太赫兹信号；在所述衬底基板的第二表面形成可调谐滤波器，所述可调谐滤波器用于对所述第一频段范围的太赫兹信号进行滤波，使所述检测器检测到第二频段范围的太赫兹信号，所述第二频段范围通过加载在所述可调谐滤波器的偏置电压进行调节，以使所述第二频段范围在所述第一频段范围内变化，形成所述可调谐滤波器包括：形成电极，用于加载所述偏置电压；形成滤波单元，包括形成与所述电极电连接的多个双开口环形件，所述多个双开口环形件形成多个串联阵列，所述多个串联阵列通过并联的方式与所述电极连接。
11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底基板的第一表面形成检测器包括：在所述衬底基板的第一表面形成第一薄膜层；在所述第一薄膜层上形成超导薄膜层；对所述超导薄膜层进行微加工，形成所述检测器。
12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述对所述超导薄膜层进行微加工，形成所述检测器包括：在所述衬底基板的第一表面光刻出检测器的检测天线的图形；在所述衬底基板的第一表面生长金薄膜，通过剥离工艺制备所述检测天线的结构；采用套刻工艺在所述检测天线的馈点之间光刻出微桥图形；对所述超导薄膜层进行刻蚀，制备出超导薄膜微桥；采用套刻工艺在所述超导薄膜微桥的两侧光刻出刻蚀窗口图形；对所述第一薄膜层进行刻蚀，以使所述衬底基板露出；对露出的所述衬底基板进行横向刻蚀，制备出悬浮桥结构。
13.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底基板的第二表面形成可调谐滤波器包括：在衬底基板的第二表面形成超导薄膜层；在所述衬底基板的第二表面光刻出所述可调谐滤波器的滤波单元的结构图形；对暴露的所述超导薄膜层进行刻蚀，制备出所述滤波单元；光刻出可调谐滤波器的电极图形；通过磁控溅射长金工艺以及剥离工艺制备出所述电极。
