1.一种自旋电子器件，其特征在于，包括：底电极；自旋轨道耦合层，设置在所述底电极上；至少一对磁性隧道结，设置在所述自旋轨道耦合层上，每个所述磁性隧道结包括由下而上依次设置的自由层、隧穿层和参考层，每个所述磁性隧道结的结构均为弦型结构，每个所述磁性隧道结的直线边与所述自旋轨道耦合层的长度方向的轴线形成预设夹角，每对所述磁性隧道结的两个磁性隧道结的参考层磁化方向相反；顶电极，设置在每个所述磁性隧道结的参考层上。
2.根据权利要求1所述的自旋电子器件，其特征在于，所述底电极包括：第一电极，与所述自旋轨道耦合层的第一端连接；第二电极，与所述自旋轨道耦合层的第二端连接；其中，所述自旋轨道耦合层的第一端和第二端相对设置。
3.根据权利要求1所述的自旋电子器件，其特征在于，所述自旋轨道耦合层的材料为重金属材料。
4.一种存储单元，其特征在于，包括：如权利要求1至3任意一项所述的自旋电子器件；第一晶体管，包括第一端、第二端和第三端，所述第一晶体管的第一端连接所述底电极，所述第一晶体管的第二端连接写字线，所述第一晶体管的第三端连接位线，所述底电极连接源线；第二晶体管，包括第一端、第二端和第三端，所述第二晶体管的第一端连接所述一对磁性隧道结中的一个顶电极，所述第二晶体管的第二端连接读字线，所述第二晶体管的第三端连接位线；第三晶体管，包括第一端、第二端和第三端，所述第三晶体管的第一端连接所述一对磁性隧道结中的另一个顶电极，所述第三晶体管的第二端连接读字线，所述第三晶体管的第三端连接反位线。
5.一种存储阵列，其特征在于，包括：m条写字线、m条读字线、n条源线和m行n列存储单元，所述存储单元为如权利要求4所述的存储单元，m和n均为正整数；位于同一列的每个所述存储单元的位线连接在同一位线上，位于同一列的每个所述存储单元的反位线连接在同一反位线上；位于同一行的每个所述存储单元的写字线连接在同一写字线上，位于同一列的每个所述存储单元的读字线连接在同一读字线上。
6.一种读写电路，其特征在于，包括：如权利要求5所述的存储阵列；位线译码器，用于向n条所述位线和n条所述反位线提供位线操作电压；字线译码器，用于向m条所述写字线和m条所述读字线提供字线操作电压；源线译码器，用于向n条所述源线提供位线操作电压和感应电流；读取运算模块，用于读取所述存储阵列存储的数据，并对所述存储阵列存储的数据进行逻辑运算。
7.根据权利要求6所述的读写电路，其特征在于，所述读取运算模块包括：电流型灵敏放大器，包括输入端、参考端和输出端，所述电流型灵敏放大器的输入端通过所述位线译码器与所述位线连接，所述电流型灵敏放大器的参考端通过所述位线译码器与所述反位线连接；加法器，包括一个输入端和一个输出端，所述加法器的输入端与所述电流型灵敏放大器的输出端连接；寄存器，与所述加法器的输出端连接。
8.根据权利要求6或7所述的读写电路，其特征在于，所述读写电路用于二值化神经网络。
