一种基于负阻增强的太赫兹振荡器

1.一种基于负阻增强的太赫兹振荡器，其特征在于：包括多组用于输出振荡信号的单核振荡器电路，多组单核振荡器电路连接在同一公共端点A上，公共端点A分别通过电容C连接输出端口和通过传输线TL1连接电源电压；多组单核振荡器电路呈环形分布，每组单核振荡器电路之间通过传输线TL2连接，用于功率合成，实现振荡器相位噪声和输出功率的提升；每组单核振荡器电路结构相同，包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M4，MOS管M1的栅极端依次通过电感Lg1和电感Lg2连接MOS管M2的栅极端，MOS管M1的漏极端依次通过电感Ld1和电感Ld2连接MOS管M2的漏极端，MOS管M1的源极端连接MOS管M3的漏极端，MOS管M2的源极端连接MOS管M4的漏极端；MOS管M3的栅极端通过电感Ls1连接MOS管M1的源极端，MOS管M3的源极端接地；MOS管M4的栅极端通过电感Ls2连接MOS管M2的源极端，MOS管M4的源极端接地。 2.根据权利要求1所述的一种基于负阻增强的太赫兹振荡器，其特征在于：电感Ld1与电感Ld2之间的线路上连接有传输线TLd，传输线TLd的另一端连接公共端点A。 3.根据权利要求1所述的一种基于负阻增强的太赫兹振荡器，其特征在于：电感Lg1与电感Lg2之间的线路上连接有传输线TLg，传输线TLg另一端连接偏置电压。 4.根据权利要求1所述的一种基于负阻增强的太赫兹振荡器，其特征在于：其中一组单核振荡器电路的MOS管M3的栅极端通过传输线TL2连接相邻单核振荡器电路的MOS管M3的栅极端；其中一组单核振荡器电路的MOS管M4的栅极端通过传输线TL2连接相邻单核振荡器电路的MOS管M4的栅极端。 5.根据权利要求1所述的一种基于负阻增强的太赫兹振荡器，其特征在于：电感Ld1与电感Ls1形成耦合结构，用于MOS管M1的源极端信号与漏极端信号耦合，提高MOS管M1漏极端的输出电压摆幅；电感Ld2与电感Ls2形成耦合结构用于MOS管M2的源极端信号与漏极端信号耦合，提高MOS管M2漏极端的输出电压摆幅。