GaN基增强型功率晶体管的制备方法

本发明提供一种GaN基增强型功率晶体管的制备方法，包括：在衬底上依次制备(In，Ga)N缓冲层，Al(In，Ga)N薄势垒层，非掺杂(In，Ga)N盖帽层；刻蚀非栅极区域的非掺杂(In，Ga)N盖帽层，使得非栅极区域的Al(In，Ga)N薄势垒层暴露；在刻蚀完成的非掺杂(In，Ga)N盖帽层及暴露出的Al(In，Ga)N薄势垒层表面沉积钝化层；制作源极和漏极的欧姆接触；制作器件隔离；制作栅极金属。本发明对非掺杂(In，Ga)N盖帽层构成的异质结构全部或部分刻蚀，在栅极区域形成非掺杂(In，Ga)N盖帽层，结合盖帽层的反极化效应和薄势垒异质结构Al(In，Ga)N/(In，Ga)N的本征增强型特性实现高阈值GaN基增强型HEMT，有效避免了传统P型栅极GaN盖帽层制造工艺中存在的P型重掺杂和空穴注入不充分问题，显著提高了P型栅增强型HEMT的阈值稳定性。