一种半导体器件的制备方法及半导体器件

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集成电路

摘要

本发明公开一种半导体器件的制备方法及半导体器件，涉及半导体器件制备技术领域，以解决由于在形成锗硅层时，产生的氢气扩散入电介质层中形成氧空位，从而产生泄漏电流，影响半导体器件的性能的问题。该半导体器件的制备方法包括：提供衬底。所述衬底包括自下而上层叠设置的下电极层、电介质层以及上电极层。在所述上电极层上形成第一硅籽晶层。在所述第一硅籽晶层上形成层间氧化层。在所述层间氧化层上形成锗硅层。本发明提供的半导体器件的制备方法用于制备半导体器件。

申请人

中国科学院微电子研究所真芯（杭州）半导体有限责任公司

第一发明人

崔基雄

著录信息

20210902

20230307

申请日

首次公开日

授权(公告日)

维持时间：年

预估到期：