1.一种高稳定性近红外LED植物灯发光芯片，其特征在于：发光芯片的发光粉化学式为Zn 3 Ga 2-2x Al 2x GeO 8 :yCr 3+ ，其中0<x＜0.5，0<y≤0.05；所述发光芯片采用蓝光芯片，激发波长为460nm，通过蓝光芯片激发发光粉发射蓝光和红光；所述高稳定性近红外LED植物灯发光芯片的制备方法，具体步骤如下：(1)将高纯的ZnO、Ga 2 O 3 、GeO 2 、Al 2 O 3 和Cr 2 O 3 进行研磨得到混合粉料A；(2)将步骤(1)混合粉料A置于温度为1400～1450℃、氧化气氛中高温烧结6-7h，研磨得到Zn 3 Ga 2-2x Al 2x GeO 8 :y Cr 3+ 近红外发光荧光粉；(3)采用环氧树脂将步骤(2)的Zn 3 Ga 2-2x Al 2x GeO 8 :y Cr 3+ 近红外发光荧光粉封装在蓝光LED芯片上，凝固烘干20-24h即得高稳定性近红外LED植物灯发光芯片。
2.权利要求1所述高稳定性近红外LED植物灯发光芯片的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：(1)将高纯的ZnO、Ga 2 O 3 、GeO 2 、Al 2 O 3 和Cr 2 O 3 进行研磨得到混合粉料A；(2)将步骤(1)混合粉料A置于温度为1400～1450℃、氧化气氛中高温烧结6-7h，研磨得到Zn 3 Ga 2-2x Al 2x GeO 8 :y Cr 3+ 近红外发光荧光粉；(3)采用环氧树脂将步骤(2)的Zn 3 Ga 2-2x Al 2x GeO 8 :y Cr 3+ 近红外发光荧光粉封装在蓝光LED芯片上，凝固烘干20-24h即得高稳定性近红外LED植物灯发光芯片。
3.根据权利要求2所述高稳定性近红外LED植物灯发光芯片的制备方法，其特征在于：以质量分数计，步骤(1)混合粉料A中ZnO为43-45％、Ga 2 O 3 为28-30％、GeO 2 为18-20％、Al 2 O 3 为7-9％；Cr 2 O 3 掺杂占总质量的1-5％。
4.根据权利要求2所述高稳定性近红外LED植物灯发光芯片的制备方法，其特征在于：步骤(3)Zn 3 Ga 2-2x Al 2x GeO 8 :y Cr 3+ 近红外发光荧光粉与环氧树脂的质量比为1:1.5-2。
5.权利要求1所述高稳定性近红外LED植物灯发光芯片在制备植物LED灯中的应用。
