1.一种储能电路的控制方法,其特征在于,包括:获取负载电路的负载信息,其中,所述负载信息至少包括:负载电压以及负载电阻;根据所述负载电阻确定待启动的电池模组的目标数量;根据所述负载电压确定所述目标数量的电池模组的目标导通时间,根据所述负载电压确定所述目标数量的电池模组的目标导通时间,包括:确定所述负载电压与所述目标数量的电池模组的输出电压的比值;控制所述目标数量的所述电池模组导通所述目标导通时间,以用于向所述负载电路进行供电,在确定所述负载电压与所述目标数量的电池模组的输出电压的比值之后,所述方法还包括:将所述比值作为所述电池模组的占空比,其中,所述占空比为进行PWM控制时预定周期内电池模组的导通时长与预定周期对应的时长的比值;根据所述比值与所述占空比确定所述目标导通时间。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,根据所述负载电阻确定待启动的电池模组的目标数量之前,所述方法还包括:采集负载电路的所述负载电阻;采集所述待启动的单个电池模组的输出电压。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,根据所述负载电阻确定待启动的电池模组的目标数量,包括:根据所述负载电阻以及所述单个电池模组的输出电压确定所述待启动的电池模组的目标数量,其中,所述负载电阻越大,所述待启动的电池模组的目标数量越多。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述电池模组的正负极两端分别与金属氧化物半导体场效晶体管MOSFET的输入端与输出端连接,多个所述MOSFET组成用于控制所述电池模组的开关阵列,根据所述负载电阻以及所述单个电池模组的输出电压确定所述待启动的电池模组的目标数量,包括:根据所述负载电阻,确定所述MOSFET的导通和/或断开数量,所述导通和/或断开数量的MOSFET用于使所述目标数量的待启动的电池模组进行导通供电。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,导通所述MOSFET方式包括:向所述MOSFET输入高电平;断开所述MOSFET方式包括:向所述MOSFET输入低电平。
6.一种储能电路的控制装置,其特征在于,包括:获取模块,用于获取负载电路的负载信息,其中,所述负载信息至少包括:负载电压以及负载电阻;第一确定模块,用于根据所述负载电阻确定待启动的电池模组的目标数量;第二确定模块,用于根据所述负载电压确定所述目标数量的电池模组的目标导通时间,根据所述负载电压确定所述目标数量的电池模组的目标导通时间,包括:确定所述负载电压与所述目标数量的电池模组的输出电压的比值;控制模块,用于控制所述目标数量的所述电池模组导通所述目标导通时间,以用于向所述负载电路进行供电,在确定所述负载电压与所述目标数量的电池模组的输出电压的比值之后,将所述比值作为所述电池模组的占空比,其中,所述占空比为进行PWM控制时预定周期内电池模组的导通时长与预定周期对应的时长的比值;根据所述比值与所述占空比确定所述目标导通时间。
7.一种非易失性存储介质,其特征在于,所述非易失性存储介质包括存储的程序,其中,在所述程序运行时控制所述非易失性存储介质所在设备执行权利要求1至5中任意一项所述储能电路的控制方法。
8.一种处理器,其特征在于,所述处理器用于运行程序,其中,所述程序运行时执行权利要求1至5中任意一项所述储能电路的控制方法。