1.一种适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料，其特征在于，按质量百分比计，所述陶瓷绝缘材料由以下原料组成：硅橡胶10-20％，成瓷填料30-40％，低熔点助熔剂15-30％，气相二氧化硅15-30％，余量为功能助剂以及不可避免的杂质，其中，所述功能助剂包括结构化控制剂和硫化剂，结构化控制剂和硫化剂共计1-3％；所述成瓷填料为硅灰石、云母、硅藻土、高岭土、纤维类填料中的一种或多种；所述陶瓷绝缘材料的制备方法包括以下步骤：S1、将硅灰石、低熔点玻璃粉、气相二氧化硅、功能助剂与硅橡胶按比例混合均匀，然后在常温下进行混炼，得到混合物；S2、对混合物进行硫化处理，得到前驱体，对前驱体进行加工成型，然后在1000℃下进行烧结一定时间；S3、烧结结束后随炉冷却，取出即得。
2.如权利要求1所述的适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料，其特征在于，所述助熔剂为玻璃粉、氧化锌、硼酸锌中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料，其特征在于，所述结构化控制剂为羟基硅油、二苯基二羟基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、六甲基二硅氮烷中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料，其特征在于，所述硫化剂为2,4-二氯过氧化苯甲酰、2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧基)己烷、过氧化二异丙苯中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料，其特征在于，按质量百分比计，所述陶瓷绝缘材料由以下原料组成：甲基乙烯基硅橡胶18％，硅灰石36％，低熔点玻璃粉22％，气相二氧化硅22％，羟基硅油和2,4-二氯过氧化苯甲酰共计2％。
6.如权利要求1所述的适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料，其特征在于，在S1中，向硅橡胶中先加入结构控制剂，然后分多次批量缓慢加入气相二氧化硅，混合均匀后，加入硅灰石和低熔点玻璃粉，最后加入硫化剂，混合均匀后进行混炼。
7.如权利要求6所述的适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料，其特征在于，硫化处理时，将混合物在120℃下进行第一次硫化，硫化时间5-20min，然后再在150℃下进行第二次硫化，硫化时间为3-5h。
8.如权利要求7所述的适用于复杂绝缘结构的低温瓷化陶瓷绝缘材料，其特征在于，在烧结时，用氧化铝粉埋烧，升温速率1℃/min，保温时间1-2h。
