1.一种大功率焊接型IGBT模块的异常识别方法，其特征在于，包括：获取某一IGBT模块的导通电压监测数据和导通电流监测数据，并基于移动平均降噪，求取所述导通电压监测数据的平均值和所述导通电流监测数据的平均值；基于IGBT模块的导通电压和IGBT模块的导通电流的关系，推导某一IGBT模块的电气量特征信息与IGBT有效工作芯片数的表达式，并构建有效工作芯片计算模型，其中，所述有效工作芯片计算模型的表达式为：式中，m为键合线脱落后IGBT模块中剩余IGBT芯片的数目，n为无键合线脱落的标准IGBT模块中并联IGBT芯片的个数，n≥m≥0， 和 分别为n个IGBT芯片并联时的导通电压和导通电流，V 0 为IGBT模块固有电压，V ce 和i c 分别为导通电压监测数据的平均值和导通电流监测数据的平均值；将获取的所述导通电压监测数据的平均值和所述导通电流监测数据的平均值输入至所述有效工作芯片计算模型中，使得到某一IGBT模块的有效工作芯片数目；将所述某一IGBT模块的有效工作芯片数目与标准IGBT模块内的并联IGBT芯片个数进行比对，并基于两者代数差的绝对值判断某一IGBT模块是否异常。
2.根据权利要求1所述的一种大功率焊接型IGBT模块的异常识别方法，其特征在于，在将所述某一IGBT模块有效工作芯片数目与标准IGBT模块内的并联IGBT芯片个数进行比对，并基于两者代数差的绝对值判断某一IGBT模块是否异常之前，所述方法还包括对所述某一IGBT模块有效工作芯片数目进行求整。
3.根据权利要求1所述的一种大功率焊接型IGBT模块的异常识别方法，其特征在于，所述导通电压监测数据的平均值的数学表达式为：式中，i c 为导通电流监测数据的平均值，L为寄生电感，R ce 为某一个参考温度下的等效电阻值，V 0 为IGBT模块固有电压，n为无键合线脱落的标准IGBT模块中并联IGBT芯片的个数。
4.根据权利要求3所述的一种大功率焊接型IGBT模块的异常识别方法，其特征在于，在n个IGBT芯片并联均流时，所述某一个参考温度下的等效电阻值为：式中， 为n个IGBT芯片并联时的导通电压，T (n) 为n个IGBT芯片并联时的芯片结温，T 0 为某一个参考温度， 为n个IGBT芯片并联时的IGBT模块导通电流，V 0 为IGBT模块固有电压，α为电阻温度系数。
5.根据权利要求3所述的一种大功率焊接型IGBT模块的异常识别方法，其特征在于，在m个IGBT芯片并联均流时，所述某一个参考温度下的等效电阻值为:式中， 为m个IGBT芯片并联时的导通电压，T (m) 为m个IGBT芯片并联时的芯片结温，T 0 为某一个参考温度， 为m个IGBT芯片并联时的IGBT模块导通电流，V 0 为IGBT模块固有电压，α为电阻温度系数。
6.一种大功率焊接型IGBT模块的异常识别装置，其特征在于，包括：获取模块，配置为获取某一IGBT模块导通电压监测数据和导通电流监测数据，并基于移动平均降噪，求取所述导通电压监测数据的平均值和所述导通电流监测数据的平均值；计算模块，配置为基于IGBT模块的导通电压和IGBT模块的导通电流的关系，推导某一IGBT模块的电气量特征信息与IGBT有效工作芯片数的表达式，并构建有效工作芯片计算模型，其中，所述有效工作芯片计算模型的表达式为：式中，m为键合线脱落后IGBT模块中剩余IGBT芯片的数目，n为无键合线脱落的标准IGBT模块中并联IGBT芯片的个数，n≥m≥0， 和 分别为n个IGBT芯片并联时的导通电压和导通电流，V 0 为IGBT模块固有电压，V ce 和i c 分别为导通电压监测数据的平均值和导通电流监测数据的平均值；输出模块，配置为将获取的所述导通电压监测数据的平均值和所述导通电流监测数据的平均值输入至所述有效工作芯片计算模型中，使得到某一IGBT模块的有效工作芯片数目；判断模块，配置为将所述某一IGBT模块的有效工作芯片数目与标准IGBT模块内的并联IGBT芯片个数进行比对，并基于两者代数差的绝对值判断某一IGBT模块是否异常。
7.一种电子设备，其特征在于，包括：至少一个处理器，以及与所述至少一个处理器通信连接的存储器，其中，所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行权利要求1至5任一项所述方法的步骤。
8.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述程序被处理器执行时实现权利要求1至5任一项所述方法的步骤。
