天线及电子装置

1.一种天线，包括压电结构和压磁结构，其中，所述压电结构和所述压磁结构配置为使得所述压电结构在电场作用下发生机械形变时使所述压磁结构发生机械形变并产生电磁波；所述天线还包括导电线圈，所述导电线圈环绕所述压磁结构设置，所述导电线圈配置为对所述压磁结构进行磁化，使得所述压磁结构，根据与所述导电线圈的放置方向对应的磁化方向，发生机械形变后，辐射出相应方向的电磁波；所述压电结构的材料包括如下的一种或多种材料：硅酸钛钡(Ba 2 TiSi 2 O 8 )、镁铌酸铅Pb(Mg 1-x Nb x )O 3 、掺杂Sm的镁铌酸铅Pb(Mg 1-x Nb x )O 3 、镁铌酸铅和钛酸铅的混合物yPb(Mg 1-x Nb x )O 3 -(1-y)PbTiO 3 (0≤x≤1，0≤y≤1)、掺杂Sm的镁铌酸铅和钛酸铅的混合物yPb(Mg 1-x Nb x )O 3 -(1-y)PbTiO 3 (0≤x≤1，0≤y≤1)、锌铌酸和铅钛酸铅的混合物yPb(Zn 1-x Nb x )O 3 -(1-y)PbTiO 3 (0≤x≤1，0≤y≤1)、锆钛酸铅PbZr x Ti 1-x O 3 (0≤x≤1)、(1-x)Na 1/2 Bi 1/2 TiO 3 -xK 1/2 Bi 1/2 TiO 3 (0≤x≤1)、钛酸铋钠和钛酸钡的混合物(1-x)Na 1/ 2 Bi 1/2 TiO 3 -xBaTiO 3 (0≤x≤1)、钛酸铋钠(Na 1/2 Bi 1/2 )TiO 3 、氧化锌ZnO、氮化铝AlN、铌酸钠NaNbO 3 、铌酸钾KNbO 3 、钨酸钠NaWO 3 、聚偏氟乙烯PVDF、偏硼酸铋α-BiB 3 O 6 、铁酸铋BiFeO 3 、钛酸钡钛酸钙锆酸钡的混合物BaTiO 3 –CaTiO 3 –BaTiZrO 3 、镍钛酸铋和锆钛酸铅的混合物xBi(Ni 1/2 Ti 1/2 )O 3 -(1-x)Pb(Zr 1/2 Ti 1/2 )O 3 (0≤x≤1)、钛酸铋BiTiO 3 、钛酸锶SrTiO 3 、磷酸钾GaPO 4 、硼酸锂Li 2 B 4 O 7 、铌酸锂LiNbO 3 、α-二氧化硅α-SiO 2 、硅酸铝钙Ca 2 Al 2 SiO 7 、硼酸锌铋Bi 2 ZnB 2 O 7 、铝酸钇YAlO 3 、铬酸钇YCrO 3 、铁酸钇YFeO 3 、硅酸镓镧系列材料、稀土钙氧硼酸盐RECa 4 O(BO 3 ) 3 系列材料及稀土钙氧硼酸盐系列材料互掺材料。 2.如权利要求1所述的天线，其中，所述压电结构和所述压磁结构至少部分接触。 3.如权利要求1所述的天线，其中，所述压电结构和所述压磁结构沿第一方向排列；所述压电结构为沿所述第一方向延伸的长条形结构，在所述第一方向上具有最大尺寸，且配置为在电场作用下在所述第一方向发生机械形变。 4.如权利要求3所述的天线，其中，所述压电结构在垂直于所述第一方向的截面的周长与所述压电结构沿所述第一方向的尺寸的比值范围为1:100-4:1。 5.如权利要求4所述的天线，其中，所述截面的形状为圆形、椭圆形、正方形或长方形。 6.如权利要求1所述的天线，其中，所述压电结构和所述压磁结构沿第一方向排列；所述压电结构在所述第一方向上具有最小尺寸，且配置为在电场作用下在垂直于所述第一方向的方向上发生机械形变。 7.如权利要求6所述的天线，其中，所述压电结构在垂直于所述第一方向的截面的周长与所述压电结构沿所述第一方向的尺寸的比值范围为4000:1-4:1。 8.如权利要求7所述的天线，其中，所述截面的形状为圆形、椭圆形、正方形或长方形。 9.如权利要求1所述的天线，其中，所述压电结构和所述压磁结构沿第一方向排列；所述天线还包括第一电极和第二电极；所述第一电极和所述第二电极配置为在被施加电压时为所述压电结构提供电场以使所述压电结构发生机械形变。 10.如权利要求9所述的天线，其中，所述第一电极和所述第二电极分位于所述压电结构在所述第一方向上的两侧。 11.如权利要求9所述的天线，其中，所述第一电极和第二电极位于所述压电结构在所述第一方向上的同侧，互为叉指结构、同层设置且彼此绝缘。 12.如权利要求11所述的天线，还包括位于所述压电结构远离所述第一电极及所述第二电极一侧的悬浮电极。 13.如权利要求1-12任一所述的天线，其中，所述压磁结构的材料包括金属和非金属组成的合金；所述非金属包括Si、B和P中的一种或多种，所述金属包括Fe、Co、Ni和Mo中的一种或多种。 14.一种电子装置，包括如权利要求1-13任一所述的天线。