1.一种阻变存储器单元电路，其特征在于，包括：阻变存储模块，用于通过电阻变化进行数据的存储；监测模块，用于监测所述阻变存储模块的通路是否导通以及是否完成阻变；延时模块，用于在所述监测模块监测到所述阻变存储模块完成阻变时开始计时，并在预设时间后控制切断所述阻变存储模块的通路；连通模块，所述延时模块通过控制所述连通模块以延时切断所述阻变存储模块的通路；所述连通模块包括限流单元；所述限流单元包括电流源子单元和至少两个限流子单元，流经所有所述限流子单元的电流之和等于流经所述电流源子单元的电流，所述限流子单元分别电连接所述电流源子单元、所述阻变存储模块和所述延时模块；所述延时模块通过分步控制切断所述限流子单元的电流通路，以分步减小所述限流单元的电流，直至切断所有所述限流子单元的电流通路。
2.根据权利要求1所述的阻变存储器单元电路，其特征在于，所述延时模块，还用于在所述阻变存储模块的通路导通时开始计时，在所述监测模块监测到所述阻变存储模块完成阻变时停止计时，以得到阻变过程时长，根据所述阻变存储模块的所述阻变过程时长设定所述预设时间，并在所述阻变存储模块完成阻变时历经所述预设时间后控制切断所述阻变存储模块的通路。
3.根据权利要求1所述的阻变存储器单元电路，其特征在于，所述连通模块包括MOS管，所述MOS管的栅极与所述延时模块电连接，所述MOS管的源级或漏极中的一者与所述监测模块电连接，另一者与所述阻变存储模块电连接。
4.一种阻变存储器，其特征在于，包括至少两个如权利要求1-3中任一项所述的阻变存储器单元电路。
5.一种阻变存储器单元电路的写操作方法，其特征在于，包括：通过控制连通模块以使阻变存储模块的通路导通；向所述阻变存储模块输入编程电压信号，对所述阻变存储模块进行写操作，所述阻变存储模块发生阻变；监测所述阻变存储模块是否完成阻变；在所述阻变存储模块完成阻变时，历经预设时间后，控制切断所述阻变存储模块的通路，完成此次写操作；所述在所述阻变存储模块完成阻变时，历经预设时间后，控制切断所述阻变存储模块的通路，完成此次写操作的步骤，包括：在所述阻变存储模块完成阻变时，控制切断一个限流子单元的电流通路；在上一个所述限流子单元的电流通路被切断后，历经分步间隔时间后，控制切断下一个所述限流子单元的电流通路，直至所有所述限流子单元的电流通路被切断，以延时切断所述阻变存储模块的通路，完成此次写操作。
6.根据权利要求5所述的阻变存储器单元电路的写操作方法，其特征在于，所述在所述阻变存储模块完成阻变时，历经预设时间后，控制切断所述阻变存储模块的通路，完成此次写操作的步骤之前，还包括：在所述阻变存储模块的通路导通时开始计时，在监测模块监测到所述阻变存储模块完成阻变时停止计时，以得到阻变过程时长；根据所述阻变过程时长，设定所述预设时间。
7.根据权利要求6所述的阻变存储器单元电路的写操作方法，其特征在于，所述在所述阻变存储模块完成阻变时，历经预设时间后，控制切断所述阻变存储模块的通路，完成此次写操作的步骤，包括：在所述阻变存储模块完成阻变时，历经所述预设时间后，控制切断供给所述连通模块内MOS管的栅极电压，完成此次写操作。
