1.一种纳米减阻剂的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：使用丙烯酰胺对1T型二硫化钼纳米片进行表面修饰，得到表面修饰官能团的二硫化钼纳米片；将共聚单体与表面修饰官能团的二硫化钼纳米片进行共聚，得到聚丙烯酰胺改性的二硫化钼纳米片，即纳米减阻剂；所述共聚单体为丙烯酰胺或丙烯酰胺与丙烯酸的组合；所述1T型二硫化钼纳米片通过水热合成法制备，包括以下步骤：S101、将钼源、硫源、还原剂加入水中进行混合；所述钼源为三氧化钼、钼酸铵和钼酸钠中的一种或两种以上的组合；所述硫源为硫脲、硫化钠和硫代甲酰胺中的一种或两种以上的组合；所述还原剂为柠檬酸、水合肼、尿素、亚硫酸钠、葡萄糖中的一种或两种以上的组合；所述钼源和硫源的摩尔比为1:2～1:30，还原剂为钼源和硫源总质量的0.5～3倍；S102、将S101混合好的溶液在160～240℃进行水热反应6 h～12 h；S103、水热反应结束后的产物用去离子水清洗，即得到1T型二硫化钼纳米片；所述使用丙烯酰胺对1T型二硫化钼纳米片进行表面修饰的过程包括：将1T型二硫化钼纳米片与丙烯酰胺加入到去离子水中，搅拌反应12h～24h，然后用去离子水洗涤产物以除去未反应的丙烯酰胺，干燥后得到表面修饰官能团的二硫化钼纳米片；所述共聚的具体过程包括：将共聚单体与表面修饰官能团的二硫化钼纳米片加入水中，随后加入催化剂，在真空条件下进行聚合反应；反应结束后洗涤除去未反应的单体，经过干燥得到所述聚丙烯酰胺改性的二硫化钼纳米片。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述共聚单体与表面修饰官能团的二硫化钼纳米片的质量比为1:1～1000:1。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚丙烯酰胺改性的二硫化钼纳米片进一步粉碎、筛分使其粒径为100～140目。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述催化剂为过硫酸铵-亚硫酸氢钠、过硫酸钾或偶氮二异丁脒盐酸盐。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述催化剂的加入量为共聚单体与表面修饰官能团的二硫化钼纳米片总质量的0.1%-0.5%。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚合反应的温度为50℃～90℃，时间为3h～8h。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述共聚过程中的干燥的温度为40℃～60℃。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述使用丙烯酰胺对1T型二硫化钼纳米片进行表面修饰的过程中，所述1T型二硫化钼纳米片和丙烯酰胺的质量比为1:1～1:10。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将1T型二硫化钼纳米片与丙烯酰胺加入到去离子水中之后，先室温超声15min～60min，之后在室温条件下搅拌反应。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述超声的功率为10Hz～25Hz；所述搅拌的转速为500rpm～1500rpm。
11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述使用丙烯酰胺对1T型二硫化钼纳米片进行表面修饰的过程中，所述干燥的温度为50℃～90℃。
12.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述1T型二硫化钼纳米片的尺寸为20nm×30nm～30nm×50nm。
13.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述水热反应的温度为180℃，时间为8h。
14.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钼源为三氧化钼。
15.一种由权利要求1-14任一项所述制备方法得到的纳米减阻剂。
16.一种包含权利要求15所述纳米减阻剂的滑溜水压裂液。
