1.一种双核磁场增强装置，其特征在于，包括：第一筒形磁场增强器（810）和第二筒形磁场增强器（820）；所述第一筒形磁场增强器（810）包括：第一筒形支架（811），具有第一外表面（801）与第一内表面（802），所述第一外表面（801）环绕所述第一内表面（802），并且与所述第一内表面（802）间隔相对设置，所述第一内表面（802）包围第一容纳空间（819）；多个第一磁场增强组件（812），所述第一磁场增强组件（812）的延伸方向与所述第一筒形支架（811）的第一中心轴线的延伸方向相同，并环绕所述第一筒形支架（811）的第一中心轴线间隔设置于所述第一外表面（801）；每个所述第一磁场增强组件（812）具有相对设置的第一端和第二端，所述多个第一磁场增强组件（812）的第一端依次连接，所述多个第一磁场增强组件（812）的第二端依次连接；所述第二筒形磁场增强器（820）包括：第二筒形支架（821），设置于所述第一容纳空间（819）内，所述第二筒形支架（821）具有第二外表面（803），与所述第一内表面（802）间隔相对设置；多个第二磁场增强组件（822），间隔设置于所述第二外表面（803），所述第二磁场增强组件（822）的延伸方向与所述第二筒形支架（821）的第二中心轴线的延伸方向相同；每个所述第二磁场增强组件（822）具有相对设置的第一端和第二端，所述多个第二磁场增强组件（822）的第一端依次连接，所述多个第二磁场增强组件（822）的第二端依次连接；其中，所述第二磁场增强组件（822）包括第一电介质层（100）、第一电极层（110）、第二电极层（120）以及第三电容（223）、第一电感（241）和第一开关电路（631），所述第三电容（223）的一端与所述第一电极层（110）连接，所述第三电容（223）的另一端与所述第二电极层（120）连接，所述第一电感（241）的一端与所述第二电极层（120）连接；所述第一开关电路（631）包括第五增强型MOS管（235）和第六增强型MOS管（236），所述第五增强型MOS管（235）的漏极和栅极分别与所述第一电感（241）远离所述第二电极层（120）的一端连接，所述第五增强型MOS管（235）的源极与所述第一电极层（110）连接，所述第六增强型MOS管（236的漏极和栅极分别所述第一电极层（110）连接，所述第六增强型MOS管（236）的源极与所述第一电感（241）远离所述第二电极层（120）的一端连接，所述第五增强型MOS管（235）和所述第六增强型MOS管（236）反向并联连接；加载的电压超过所述第五增强型MOS管（235）和所述第六增强型MOS管（236）的沟道导通电压时，所述第五增强型MOS管（235）的源漏极导通和所述第六增强型MOS管（236）的源漏极交替导通。
2.如权利要求1所述的双核磁场增强装置，其特征在于，在射频接收阶段，所述第五增强型MOS管（235）的源漏极导通和所述第六增强型MOS管（236）的源漏极不导通，多个所述第二磁场增强组件（822）组成的所述第二筒形磁场增强器（820）处于谐振状态。
3.如权利要求1所述的双核磁场增强装置，其特征在于，还包括：多个第一谐振控制电路（851），一个所述第一谐振控制电路（851）与一个所述第一磁场增强组件（812）电连接，用于控制所述第一磁场增强组件（812）的工作状态。
4.如权利要求1所述的双核磁场增强装置，其特征在于，还包括：多个第二谐振控制电路（852），一个所述第二谐振控制电路（852）与一个所述第二磁场增强组件（822）电连接，用于控制所述第二磁场增强组件（822）的工作状态。
5.如权利要求1所述的双核磁场增强装置，其特征在于，所述第一磁场增强组件（812）包括：第二电介质层（831），具有间隔相对的第三表面（805）与第四表面（806），所述第二电介质层（831）具有相对的第三端（881）与第四端（882）；第七电极层（832），设置于所述第三表面（805），并覆盖所述第三表面（805）；第八电极层（833），设置于所述第四表面（806），并覆盖部分所述第四表面（806），且所述第八电极层（833）靠近所述第三端（881）设置；第九电极层（834），与所述第八电极层（833）间隔设置于所述第四表面（806），并覆盖部分所述第四表面（806），且所述第九电极层（834）靠近所述第四端（882）设置；所述第八电极层（833）在所述第二电介质层（831）的正投影，位于所述第七电极层（832）在所述第二电介质层（831）的正投影中，形成第六结构电容（807）；所述第九电极层（834）在所述第二电介质层（831）的正投影，位于所述第七电极层（832）在所述第二电介质层（831）的正投影中，形成第七结构电容（808）。
6.如权利要求5所述的双核磁场增强装置，其特征在于，沿环绕所述第一筒形支架（811）的第一中心轴线的方向，所述第六结构电容（807）和所述第七结构电容（808）之间的所述第七电极层（832）的宽度小于所述第六结构电容（807）和所述第七结构电容（808）对应的所述第七电极层（832）的宽度。
7.如权利要求1所述的双核磁场增强装置，其特征在于，所述第一筒形磁场增强器（810）的第一中心轴线与所述第二筒形磁场增强器（820）的第二中心轴线重合，且所述第一筒形磁场增强器（810）的中截面与所述第二筒形磁场增强器（820）的中截面重合；沿着所述第一中心轴线方向，所述第一筒形磁场增强器（810）的长度小于所述第二筒形磁场增强器（820）的长度，且所述第一筒形磁场增强器（810）的两端与所述第二筒形磁场增强器（820）的两端不共面。
8.一种磁共振系统，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的双核磁场增强装置。
