1.一种提升负跨导振荡器共模瞬态抗干扰度的控制电路，所述负跨导振荡器包括靠近电源轨的尾电流源；其特征在于，所述控制电路包括检测模块、电流源开关控制模块、开关模块和受控电流源，所述受控电流源与所述尾电流源并联，所述开关模块用于在所述电流源开关控制模块的控制下将所述受控电流源打开或关闭；所述检测模块用于检测所述负跨导振荡器输出节点的实时电位，并将检测结果输出至所述电流源开关控制模块；所述电流源开关控制模块用于将所述检测模块检测到的所述负跨导振荡器输出节点的实时电位与下限阈值进行比较，当所述负跨导振荡器输出节点的实时电位不低于所述下限阈值时控制所述开关模块将所述受控电流源关闭；当所述负跨导振荡器输出节点的实时电位低于所述下限阈值时控制所述开关模块将所述受控电流源打开，使得所述负跨导振荡器总的尾电流增大；所述检测模块包括第二电容和第三电容，第二电容和第三电容的电容值相等，第二电容一端连接所述负跨导振荡器的第一个输出节点，其另一端连接第三电容的一端并作为所述检测模块的输出端；第三电容的另一端连接所述负跨导振荡器的第二个输出节点；所述电流源开关控制模块包括第一电阻、第二电阻、第一比较器和反相器，其中第一比较器内置基准电压，用来保证在所述负跨导振荡器正常工作时第一比较器正相输入端的电压大于反相输入端的电压，使得第一比较器的输出信号为高电平；第一电阻的一端连接所述检测模块的输出端和第一比较器的正相输入端，其另一端连接第二偏置电压并通过第二电阻后连接第一比较器的反相输入端；反相器的输入端连接第一比较器的输出端并产生第一开关控制信号，其输出端产生第二开关控制信号；所述开关模块包括第一开关和第二开关，所述受控电流源包括第四PMOS管，第一开关的一端连接第一偏置电压，其另一端连接第四PMOS管的栅极；第二开关的一端连接电源电压，其另一端连接第四PMOS管的栅极；第四PMOS管的源极连接所述电源电压，其漏极连接第三PMOS管的漏极；第一开关和第二开关受第一开关控制信号和第二开关控制信号控制，当第一开关控制信号为低电平，第二开关控制信号为高电平时，将第一开关开启、第二开关关闭，使得第四PMOS管导通，所述受控电流源打开；当第一开关控制信号为高电平，第二开关控制信号为低电平时，将第一开关关闭、第二开关开启，使得第四PMOS管断开，所述受控电流源关闭。
2.根据权利要求1所述的提升负跨导振荡器共模瞬态抗干扰度的控制电路，其特征在于，所述负跨导振荡器还包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第一电容，所述尾电流源包括第三PMOS管，第三PMOS管的栅极连接第一偏置电压，其源极连接电源电压，其漏极连接第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极；第一NMOS管的栅极连接第二NMOS管的漏极、第二PMOS管的漏极、第一PMOS管的栅极和第一电容的一端并作为所述负跨导振荡器的第一个输出节点，其漏极连接第一PMOS管的漏极、第二NMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极和第一电容的另一端并作为所述负跨导振荡器的第二个输出节点，其源极连接第二NMOS管的源极并连接第一参考地。
3.一种提升负跨导振荡器共模瞬态抗干扰度的控制电路，所述负跨导振荡器包括靠近地轨的尾电流源；其特征在于，所述控制电路包括检测模块、电流源开关控制模块、开关模块和受控电流源，所述受控电流源与所述尾电流源并联，所述开关模块用于在所述电流源开关控制模块的控制下将所述受控电流源打开或关闭；所述检测模块用于检测所述负跨导振荡器输出节点的实时电位，并将检测结果输出至所述电流源开关控制模块；所述电流源开关控制模块用于将所述检测模块检测到的所述负跨导振荡器输出节点的实时电位与上限阈值进行比较，当所述负跨导振荡器输出节点的实时电位不高于所述上限阈值时控制所述开关模块将所述受控电流源关闭；当所述负跨导振荡器输出节点的实时电位高于所述上限阈值时控制所述开关模块将所述受控电流源打开，使得所述负跨导振荡器总的尾电流增大；所述检测模块包括第二电容和第三电容，第二电容和第三电容的电容值相等，第二电容一端连接所述负跨导振荡器的第一个输出节点，其另一端连接第三电容的一端并作为所述检测模块的输出端；第三电容的另一端连接所述负跨导振荡器的第二个输出节点；所述电流源开关控制模块包括第一电阻、第二电阻、第二比较器和反相器，其中第二比较器内置基准电压，用来保证在所述负跨导振荡器正常工作时第二比较器正相输入端的电压小于反相输入端的电压，使得第二比较器的输出信号为低电平；第一电阻的一端连接所述检测模块的输出端和第二比较器的正相输入端，其另一端连接第二偏置电压并通过第二电阻后连接第二比较器的反相输入端；反相器的输入端连接第二比较器的输出端并产生第一开关控制信号，其输出端产生第二开关控制信号；所述开关模块包括第三开关和第四开关，所述受控电流源包括第四NMOS管；第三开关的一端连接第一偏置电压，其另一端连接第四NMOS管的栅极；第四开关的一端连接第一参考地，其另一端连接第四NMOS管的栅极；第四NMOS管的源极连接所述第一参考地，其漏极连接第三NMOS管的漏极；第三开关和第四开关受第一开关控制信号和第二开关控制信号控制，当第一开关控制信号为高电平，第二开关控制信号为低电平时，将第三开关开启、第四开关关闭，使得第四NMOS管导通，所述受控电流源打开；当第一开关控制信号为低电平，第二开关控制信号为高电平时，将第三开关关闭、第四开关开启，使得第四NMOS管断开，所述受控电流源关闭。
4.据权利要求3所述的提升负跨导振荡器共模瞬态抗干扰度的控制电路，其特征在于，所述负跨导振荡器还包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第一电容，所述尾电流源包括第三NMOS管，第三NMOS管的栅极连接第一偏置电压，其源极连接第一参考地，其漏极连接第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极；第一PMOS管的栅极连接第二PMOS管的漏极、第二NMOS管的漏极、第一NMOS管的栅极和第一电容的一端并作为所述负跨导振荡器的第一个输出节点，其漏极连接第一NMOS管的漏极、第二NMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极和第一电容的另一端并作为所述负跨导振荡器的第二个输出节点，其源极连接第二PMOS管的源极并连接电源电压。
