基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统

1.一种基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统，用于与IGBT栅极连接，以在IGBT发生短路时提供软关断保护，其特征在于，所述基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统包括MOS管Q1，所述MOS管Q1的漏极用于连接IGBT的栅极，所述MOS管Q1的源极接地，所述基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统还包括：电压获取模块，所述电压获取模块的输入端与所述MOS管Q1的漏极电连接，所述电压获取模块用于在所述IGBT发生短路时获取所述IGBT的栅极电压，并根据所述IGBT的栅极电压输出第一电压信号；电压参考模块，所述电压参考模块用于产生具有理想下降波形的第二电压信号；比较控制模块，所述比较控制模块的输入端与所述电压获取模块的输出端及所述电压参考模块的输出端电连接，所述比较控制模块的输出端电连接至所述MOS管Q1的栅极，所述比较控制模块用于将所述第一电压信号与所述第二电压信号进行比较，并根据比较结果输出对应的控制信号；当所述第一电压信号大于所述第二电压信号时，所述比较控制模块输出第一输出信号至所述IGBT的栅极，以控制所述MOS管Q1导通，进而使得所述IGBT的栅极电压对地放电而减小；当所述第一电压信号小于或等于所述第二电压信号时，所述比较控制模块输出第二输出信号至所述IGBT的栅极，以控制所述MOS管Q1截止，进而使得所述IGBT的栅极电压停止对地放电而保持不变。 2.根据权利要求1所述的基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统，其特征在于，所述比较控制模块包括比较放大单元，所述比较放大单元的输入端与所述电压获取模块的输出端及所述电压参考模块的输出端电连接，所述比较放大单元用于对所述第一电压信号及所述第二电压信号的电压大小进行比较，并根据比较结果产生对应的电压信号，所述比较放大单元还用于对产生的电压信号进行放大处理。 3.根据权利要求2所述的基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统，其特征在于，所述比较控制模块还包括控制单元，所述控制单元的输入端与所述比较放大单元的输出端电连接，所述控制单元用于根据所述比较放大单元放大处理后的电压信号产生对应的控制信号。 4.根据权利要求3所述的基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统，其特征在于，所述比较控制模块还包括功率输出单元，所述功率输出单元的输入端与所述控制单元的输出端电连接，所述功率输出单元的输出端与所述MOS管Q1的栅极电连接，所述功率输出单元用于对所述控制单元产生的控制信号进行功率转换，以产生所述第一输出信号或所述第二输出信号。