一种非晶硅材料电阻率调节方法

本发明涉及一种简单可行的非晶硅材料电阻率的调节方法，其中，包括：采用化学气相沉积PECVD硅烷辉光放电制备非晶硅材料，平行板结构装置衬底放在具有温控装置的平板上，射频电压加在上下平行板之间；反应腔体内采用热丝控制气体温度，在辉光放电前，先将沉积室温抽真空到5x10Pa；然后在辉光放电沉积过程的反应室中，通入少量NO与硅烷作为非晶硅材料反应气体，并且在反应过程中使反应腔中保持46Pa～55Pa的压强，对衬底进行加热到300℃，让上下平板间出现电容耦合式的气体放电，将氧原子掺杂入非晶硅材料中，使氧原子在非晶硅中与Si形成新键，形成含氧的氢化非晶硅。本发明提出的一个非晶硅材料电阻率的调节方法，简单可行。