一种提高硅APD制结工艺精度的方法

1.一种提高硅APD制结工艺精度的方法，其特征在于，包括：活性区p、正面接触层n + 、背面接触层p + 制结工艺温度依次降低，工艺时间依次减少，以减少多步高温工艺对结深造成误差积累；在制结工艺过程中通入三氯乙烯进行含氯氧化，通过三氯乙烯在高温下分解产生水气控制氧化层生长速率，以抵消温度差异对结深造成的影响；其中，通过光刻形成硅APD活性区p注入窗口后，进行硼离子注入，剂量1.5×10 14 cm -2 ，能量40keV，在1120℃和含氯氧化氛围下进行推进，时间24h，三氯乙烯由氩气鼓泡携带，氩气流量为氧气流量的5‰；通过光刻形成硅APD正面接触层n+注入窗口后，进行磷离子注入，剂量3×10 14 cm -2 ，能量40keV，在1020℃和含氯氧化氛围下进行推进，时间9h，三氯乙烯由氩气鼓泡携带，氩气流量为氧气流量的5‰；通过减薄抛光将硅片厚度减薄至150μm后，进行背面硼离子注入，剂量5×10 14 cm -2 ，能量40keV，在900℃下进行氧化推进，时间1h，形成背面p+接触层；通过光刻形成硅APD正面接触层n+注入窗口后，进行磷离子注入，剂量5×10 14 cm -2 ，能量40keV，在900℃下进行氧化推进，时间2h，形成正面n+接触层；进行钝化和电极制备，工艺温度均低于450℃，从而形成了n+-p-π-p+掺杂结构的硅APD。 2.如权利要求1所述的提高硅APD制结工艺精度的方法，其特征在于，活性区p推结时间最长，以获得高精度的结深，活性区p推结温度最高，获得的结深较深。