模式转换器及其制造方法

1.一种模式转换器，其特征在于，包括：硅衬底、位于硅衬底一侧的二氧化硅层，以及位于二氧化硅层远离硅衬底的一侧且同层设置的硅层、第一介质模块层和第二介质模块层，其中：第一介质模块层部分嵌入硅层，第二介质模块层嵌入硅层；硅层、第一介质模块层嵌入硅层的部分、及第二介质模块层在硅衬底上的正投影拼合成矩形；第一介质模块层在硅衬底上的正投影包括闭环依次连接的第一边、第二边、第三边、第四边和第五边，其中，第一边和第三边平行，第二边与第一边和第三边正交，第四边与第三边的夹角等于第五边与第一边的夹角且均为锐角，第一边和第三边与矩形的宽边平行且部分伸出矩形外，第二边位于矩形外；第二介质模块层在硅衬底上的正投影包括闭环依次连接呈直角梯形的第六边、第七边、第八边和第九边，其中，第六边为直角梯形的下底、第七边为直角梯形的斜腰、第八边为直角梯形的上底，第九边为直角梯形的直腰，第九边与矩形的长边平齐；第一边和第六边位于同一直线上，第三边和第八边位于同一直线上，第二边到相邻的矩形长边的距离等于第八边的长度。 2.根据权利要求1所述的模式转换器，其特征在于，第一介质模块层和第二介质模块层的折射率大于硅层的折射率。 3.根据权利要求1所述的模式转换器，其特征在于，第一边嵌入硅层的长度范围为150nm至350nm。 4.根据权利要求1所述的模式转换器，其特征在于，第四边和第五边的交点到靠近第二边的矩形长边的垂直距离的范围为90nm至290nm。 5.根据权利要求1所述的模式转换器，其特征在于，第六边的长度范围为60nm至260nm。 6.根据权利要求1所述的模式转换器，其特征在于，第八边的长度范围为25nm至75nm。 7.根据权利要求1所述的模式转换器，其特征在于，第九边的长度范围为1000nm至2000nm。 8.根据权利要求1-7任一项所述的模式转换器，其特征在于，第四边、第五边和第七边呈锯齿状。 9.根据权利要求8所述的模式转换器，其特征在于，第一介质模块和第二介质模块的材料包括硅锗。 10.一种如权利要求1所述模式转换器的制造方法，其特征在于，包括：提供绝缘层上硅平台，绝缘层上硅平台包括依次设置的硅衬底、二氧化硅层和硅层；图案化刻蚀硅层，以形成与第一介质模块层形状相匹配的第一凹槽，及与第二介质模块层形状相匹配的第二凹槽；形成填充第一凹槽的第一介质模块层，及填充第二凹槽的第二介质模块层；刻蚀硅层，以使第一介质模块层的第一边和第三边部分伸出矩形外，且第二边位于矩形外。