一种MEMS光纤珐珀传感器及制作装置、制作方法

1.一种用于MEMS光纤珐珀传感器的制作方法，其特征在于，所述传感器包括光纤（1）、大孔（2）、小孔（3）、反射层（4）和敏感膜片（5），所述的反射层（4）制作在敏感膜片（5）上，所述的敏感膜片（5）位于小孔（3）底部，所述的小孔（3）位于大孔（2）底部，所述的大孔（2）底部与光纤（1）端面固定并同轴心设置；所述的敏感膜片（5）、大孔（2）和小孔（3）为通过纳米压印技术在薄膜（12）上一体制作而成的部件；所述制作方法包括以下步骤：步骤1：在压印印模的基底（6）上制备两层掩膜，分别为底层掩膜（7）和顶层掩膜（8）；步骤2：通过ICP在基底（6）上刻蚀出定位小孔（9）；步骤3：去除基底（6）的顶层掩膜（8），并通过ICP在基底（6）上刻蚀出定位大孔（10）；步骤4：去除底层掩膜（7），得到压印印模；步骤5：在衬底（11）上通过沉积工艺制作一层薄膜（12）；步骤6：基于纳米压印技术，利用步骤4得到的压印印模在薄膜（12）上压印出敏感结构；步骤7：去除衬底（11），形成敏感膜片（5）、大孔（2）和小孔（3）；步骤8：通过MEMS薄膜沉积工艺在敏感膜片（5）上制作一层反射膜，形成反射层（4）；步骤9：将光纤（1）直接粘接到大孔（2）上，并保证光纤（1）与敏感膜片（5）的中心对准，形成完整的光纤珐珀传感器。 2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的光纤（1）为单模光纤或多模光纤。 3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的反射层（4）为金、银或铝材料通过沉积工艺制作而成的反射层。 4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的薄膜（12）为光刻胶、PMMA或PDMS制作而成的薄膜。 5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的顶层掩膜（8）为光刻胶制作而成的掩膜。 6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的底层掩膜（7）为铝、铬或氧化硅制作而成的掩膜。 7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的基底（6）为硅、氧化硅或氮化硅制作而成的基底；所述的衬底（11）为硅、氧化硅或氮化硅制作而成的衬底。