1.一种基于非对称超材料结构的光电探测器，包括至少一个超材料敏感单元；所述超材料敏感单元由非对称电磁谐振结构与转换结构组成，且所述转换结构设置于所述非对称电磁谐振结构包围的区域中，整体结构设置于衬底上；所述非对称电磁谐振结构，在单个或多个对称标准下具有不对称性，并具有亚波长尺寸；所述非对称电磁谐振结构的形状是几何连续结构或由多个分立结构组成的多聚体结构；所述非对称电磁谐振结构由一U型槽和一平板组成，U型槽和平板包围的区域形成谐振腔，转换结构设置在谐振腔内；所述转换结构，须位于非对称谐振结构产生的磁场增强区域内，以产生洛伦兹力。
2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于：所述非对称电磁谐振结构的组成材料，须满足电磁谐振对材料的要求；所述非对称电磁谐振结构的组成材料选自下述任意一种材料：良导体金属、重掺杂或不掺杂的半导体和介质材料。
3.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于：所述转换结构是单个彼此分离的结构或连续的结构；所述转换结构是具有独立几何形状的结构或是所述衬底上的一块掺杂区域。
4.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于：所述转换结构是由具有自由载流子的材料组成。
5.根据权利要求4所述的光电探测器，其特征在于：所述具有自由载流子的材料选自下述任意一种：金属材料、n型或p型掺杂的半导体材料、半金属材料和二维材料。
6.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于：所述衬底的材料选择对入射电磁波损耗低的材料，包括特氟龙、FR-4、高纯Si、高纯GaAs、玻璃、石英。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的光电探测器，其特征在于：所述基于非对称超材料结构的光电探测器由单个所述超材料敏感单元组成；或所述基于非对称超材料结构的光电探测器由多个所述超材料敏感单元以阵列形式组成。
8.根据权利要求7所述的光电探测器，其特征在于：所述多个所述超材料敏感单元成周期性阵列式排列；所述周期性阵列式排列的级联方式包括串联、并联或串并联混合。
