一种基于钙钛矿CsPbBr异质结的光纤端面式模场分析仪

1.一种基于钙钛矿CsPbBr 3 异质结的光纤端面式模场分析仪，其特征在于：包括光纤、金-钙钛矿CsPbBr 3 -金异质结和外接光电器件；所述金-钙钛矿CsPbBr 3 -金异质结作为单元结构以矩阵的形式平铺于光纤端面上，且矩阵在光纤端面上的覆盖率至少95％；金-钙钛矿CsPbBr 3 -金异质结的两金极间距至少2nm，相邻单元结构的间距至少2nm，钙钛矿CsPbBr 3 的面积不超过单个单元结构的面积；所述外接光电器件包括：激光光源、纳米探针、稳压源、电流计、温度控制器以及计算机；激光源波长范围在400-560nm；温度控制器用于控制光纤的温度恒定在25℃～37℃；纳米探针有两根，分别与稳压源的正负极相连再与电流计相串联后，再分别与单个金-钙钛矿CsPbBr 3 -金异质结中的金极相接触；电流计的输出端与计算机相连，将采集到的电流信号经过计算机数据处理软件进行分析并仿真。 2.如权利要求1所述基于钙钛矿CsPbBr 3 异质结的光纤端面式模场分析仪，其特征在于：所述金-钙钛矿CsPbBr 3 -金异质结中的金极呈对称分布，表面粗糙度＜1nm，厚度为60-80nm；钙钛矿CsPbBr 3 完全覆盖两金极间的镂空范围，表面粗糙度＜5nm，厚度为50-200nm。 3.如权利要求1所述基于钙钛矿CsPbBr 3 异质结的光纤端面式模场分析仪，其特征在于：所述光纤为单模光纤、少模光纤或者多模光纤。 4.如权利要求1所述基于钙钛矿CsPbBr 3 异质结的光纤端面式模场分析仪，其特征在于：所述光纤端面进行切割并打磨、平整，使其粗糙度＜10nm。 5.如权利要求1所述基于钙钛矿CsPbBr 3 异质结的光纤端面式模场分析仪，其特征在于：所述探针直径为1nm。 6.如权利要求1所述基于钙钛矿CsPbBr 3 异质结的光纤端面式模场分析仪，其特征在于：使用方法为：光纤未沉积异质结的一端接入到泵浦激光源，设定温度控制器的温度恒定后，将两根探针与单元结构中的两个金极相接触，通过设定稳压源的大小，记录电流计中的电流大小，同时通过计算机中的数据处理软件将电流数据进行储存；然后，通过移动探针与各单元结构的金极接触从而改变所测的阵列单元，计算机将测得的每个阵列单元的电流进行采集储存处理，并且统一转换为光纤横截面的光功率分布，即横模分布。