1.一种天线装置，其特征在于，包括：相邻设置的第一天线单元和第二天线单元；第一去耦网络，所述第一去耦网络具有输入端口、输出端口、第一连接端口和第二连接端口；所述输出端口连接所述第一天线单元，所述输入端口用于连接第一馈源；第二去耦网络，所述第二去耦网络具有输入端口、输出端口、第一连接端口和第二连接端口；所述第二去耦网络的输出端口连接所述第二天线单元，所述第二去耦网络的输入端口用于连接第二馈源；第一去耦传输线，所述第一去耦传输线连接所述第一去耦网络的第一连接端口与所述第二去耦网络的第一连接端口；以及第二去耦传输线，所述第二去耦传输线连接所述第一去耦网络的第二连接端口与所述第二去耦网络的第二连接端口；其中，所述第一去耦传输线和所述第二去耦传输线的至少一个中设置有移相器；所述第一去耦网络和所述第二去耦网络具有相同的散射参数；所述第一去耦网络包括首尾顺次连接成多边形的第五传输线、第六传输线、第七传输线和第八传输线，所述第五传输线和所述第七传输线的特性阻抗为Z 1 ，所述第六传输线和所述第八传输线的特性阻抗为Z 2 ，所述第一去耦传输线和所述第二去耦传输线的特性阻抗为Z 0 ；其中， Z 0 为预先设定值， Z 1 ，Z 2 根据如下公式进行计算：其中，h为阻抗变换因子，h根据如下公式进行计算：其中，D为所述第一去耦网络的耦合度，D根据如下公式进行计算：其中，S’ 12 为所述第一天线单元和所述第二天线单元之间未连接所述第一去耦网络与第二去耦网络时的隔离度的强度；所述第五传输线、所述第六传输线、所述第七传输线、所述第八传输线、所述第一去耦传输线和所述第二去耦传输线的线宽根据特性阻抗Z 0 、Z 1 和Z 2 进行确定。
2.根据权利要求1所述的天线装置，其特征在于：所述移相器为有源移相器；和/或所述第一连接端口为耦合端口和隔离端口中的一个，所述第二连接端口为隔离端口和耦合端口中的另一个。
3.根据权利要求1所述的天线装置，其特征在于：所述移相器设置在所述第一去耦传输线中，所述第一去耦传输线包括依次连接的第三去耦传输线、所述移相器和第四去耦传输线。
4.根据权利要求3所述的天线装置，其特征在于：所述移相器的相位与所述第三去耦传输线和所述第四去耦传输线的相位积累之和等于2π的整数倍减去φ 21 ，其中φ 21 为所述第一天线单元和所述第二天线单元之间未连接所述第一去耦网络与第二去耦网络时的隔离度的相位。
5.根据权利要求3所述的天线装置，其特征在于：所述移相器的相位与所述第二去耦传输线、第三去耦传输线和第四去耦传输线的相位积累之和等于2π的整数倍。
6.根据权利要求3所述的天线装置，其特征在于：还在所述第二去耦传输线中设置另一移相器，所述第二去耦传输线包括依次连接的第五去耦传输线、所述另一移相器和第六去耦传输线。
7.根据权利要求6所述的天线装置，其特征在于：所述移相器的相位与第三去耦传输线和第四去耦传输线的相位积累之和等于2π的整数倍减去φ 21 ，其中φ 21 为所述第一天线单元和所述第二天线单元之间未连接所述第一去耦网络与第二去耦网络时的隔离度的相位。
8.根据权利要求6所述的天线装置，其特征在于：所述另一移相器的相位与第五去耦传输线和第六去耦传输线的相位积累之和等于2π的整数倍加上φ 21 ，其中φ 21 为所述第一天线单元和所述第二天线单元之间未连接所述第一去耦网络与第二去耦网络时的隔离度的相位。
9.根据权利要求6所述的天线装置，其特征在于：所述移相器的相位P1和所述另一移相器的相位P2与所述第三去耦传输线、第四去耦传输线、第五去耦传输线和第六去耦传输线的相位积累之和等于2π的整数倍。
10.根据权利要求1所述的天线装置，其特征在于：所述第一天线单元和第二天线单元具有相同的辐射特性。
11.一种电子设备，其特征在于，包括：壳体；显示屏组件，与所述壳体连接，并与所述壳体形成容置空间；馈源，设置在所述容置空间内；以及天线装置，至少部分设置在所述容置空间内，所述天线装置包括：多个天线单元；多个去耦网络，与所述多个天线单元一一对应，其中，每个去耦网络均具有输入端口、输出端口、第一连接端口和第二连接端口；所述输出端口与对应的天线单元连接，所述输入端口与所述馈源连接；第一去耦传输线，所述第一去耦传输线连接在相邻的所述去耦网络的第一连接端口之间；以及第二去耦传输线，所述第二去耦传输线连接在相邻的所述去耦网络的第二连接端口之间；其中，所述第一去耦传输线和所述第二去耦传输线的至少一个中设置有移相器；所述多个去耦网络具有相同的散射参数；每个所述去耦网络包括首尾顺次连接成多边形的第五传输线、第六传输线、第七传输线和第八传输线，所述第五传输线和所述第七传输线的特性阻抗为Z 1 ，所述第六传输线和所述第八传输线的特性阻抗为Z 2 ，所述第一去耦传输线和所述第二去耦传输线的特性阻抗为Z 0 ；其中， Z 0 为预先设定值， Z 1 ，Z 2 根据如下公式进行计算：其中，h为阻抗变换因子，h根据如下公式进行计算：其中，D为每个所述去耦网络的耦合度，D根据如下公式进行计算：其中，S’ 12 为相邻所述天线单元之间未连接各自对应的所述去耦网络时的隔离度的强度；所述第五传输线、所述第六传输线、所述第七传输线、所述第八传输线、所述第一去耦传输线和所述第二去耦传输线的线宽根据特性阻抗Z 0 、Z 1 和Z 2 进行确定。
12.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，所述馈源包括多个馈源，所述多个馈源与所述多个去耦网络一一对应，每一所述输入端口与对应的馈源连接。
13.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，所述馈源为射频芯片。
14.根据权利要求13所述的电子设备，其特征在于，所述天线装置包括依次叠层设置的第一基板、第二基板和第三基板；所述多个天线单元设置在所述第一基板上；所述第一去耦传输线和所述第二去耦传输线设置在所述第三基板内；所述射频芯片设置在所述第三基板远离所述第二基板的一侧。
15.一种用于天线装置的去耦方法，其特征在于，所述天线装置包括：相邻设置的第一天线单元和第二天线单元；第一去耦网络，所述第一去耦网络具有输入端口、输出端口、第一连接端口和第二连接端口；所述输出端口连接所述第一天线单元，所述输入端口用于连接第一馈源；第二去耦网络，所述第二去耦网络具有输入端口、输出端口、第一连接端口和第二连接端口；所述第二去耦网络的输出端口连接所述第二天线单元，所述第二去耦网络的输入端口用于连接第二馈源；第一去耦传输线，所述第一去耦传输线连接所述第一去耦网络的第一连接端口与所述第二去耦网络的第一连接端口；以及第二去耦传输线，所述第二去耦传输线连接所述第一去耦网络的第二连接端口与所述第二去耦网络的第二连接端口；其中，所述第一去耦传输线和所述第二去耦传输线的至少一个中设置有移相器；所述第一去耦网络和所述第二去耦网络具有相同的散射参数；所述第一去耦网络包括首尾顺次连接成多边形的第五传输线、第六传输线、第七传输线和第八传输线，所述第五传输线和所述第七传输线的特性阻抗为Z 1 ，所述第六传输线和所述第八传输线的特性阻抗为Z 2 ，所述第一去耦传输线和所述第二去耦传输线的特性阻抗为Z 0 ；其中， Z 0 为预先设定值， Z 1 ，Z 2 根据如下公式进行计算：其中，h为阻抗变换因子，h根据如下公式进行计算：其中，D为所述第一去耦网络的耦合度，D根据如下公式进行计算：其中，S’ 12 为所述第一天线单元和所述第二天线单元之间未连接所述第一去耦网络与第二去耦网络时的隔离度的强度；所述第五传输线、所述第六传输线、所述第七传输线、所述第八传输线、所述第一去耦传输线和所述第二去耦传输线的线宽根据特性阻抗Z 0 、Z 1 和Z 2 进行确定；所述去耦方法包括：通过调整所述移相器的相位来调整所述第一天线单元和第二天线单元之间的耦合度。
16.根据权利要求15所述的去耦方法，其特征在于：根据所述移相器所在的去耦传输线的相位积累以及所述第一天线单元和所述第二天线单元之间未连接所述第一去耦网络与第二去耦网络时的隔离度的相位来调节所述移相器的相位。
17.根据权利要求15所述的去耦方法，其特征在于：根据所述第一去耦传输线和所述第二去耦传输线的相位积累来调节所述移相器的相位。
