1.一种天线装置，其特征在于，包括：相邻设置的第一天线单元和第二天线单元；第一去耦网络，具有输入端口、输出端口和去耦合端口，所述输出端口与所述第一天线单元连接，所述输入端口用于与第一馈源连接；第二去耦网络，具有输入端口、输出端口和去耦合端口，所述第二去耦网络的输出端口与所述第二天线单元连接，所述第二去耦网络的输入端口用于与第二馈源连接；以及去耦传输线，连接在所述第一去耦网络的去耦合端口和所述第二去耦网络的去耦合端口之间，所述第一去耦网络和所述去耦传输线形成功分器，以将从所述第一去耦网络的输入端口输入的功率按所述功分器的功分比分配至所述第一天线单元和所述去耦传输线；所述第一天线单元和所述第二天线单元之间的耦合度根据所述去耦传输线的长度和所述第一去耦网络和所述第二去耦网络的散射参数来确定；所述第一天线单元和所述第二天线单元之间的耦合度与所述去耦传输线的长度和所述第一去耦网络的散射参数之间满足以下关系：其中，S’ 12 为所述第一天线单元和所述第二天线单元之间的初始隔离度的强度，所述初始隔离度为所述第一天线单元和所述第二天线单元未连接所述第一去耦网络和所述第二去耦网络时的隔离度；所述S 12 和S 13 为所述第一去耦网络的散射参数；d 5 为去耦传输线的长度，k为波数，e为自然常数，j为虚数的表示符号。
2.根据权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述第一去耦网络的散射参数根据所述功分比确定。
3.根据权利要求2所述的天线装置，其特征在于：所述功分比根据所述第一天线单元和第二天线单元的初始隔离度的强度来确定。
4.根据权利要求3所述的天线装置，其特征在于：所述去耦传输线的长度根据所述第一天线单元和所述第二天线单元的初始隔离度的相位来确定。
5.根据权利要求1所述的天线装置，其特征在于：所述功分比与所述初始隔离度的强度，以及所述去耦传输线的长度与所述初始隔离度的相位满足以下关系：其中， 为所述功分比； 为所述初始隔离度的相位。
6.根据权利要求5所述的天线装置，其特征在于：所述去耦传输线的长度与所述第一天线单元和所述第二天线单元的初始隔离度的相位满足以下关系：其中，Pi对应的数值为3.14，λ为波长。
7.根据权利要求5所述的天线装置，其特征在于，所述第一去耦网络和所述第二去耦网络均包括第一传输线和第二传输线；所述第一传输线和所述第二传输线的一端相互连接，并在连接处形成所述去耦合端口，所述第一传输线的另一端形成所述输入端口，所述第二传输线的另一端形成所述输出端口。
8.根据权利要求7所述的天线装置，其特征在于，所述第二传输线和所述去耦传输线的特性阻抗均根据所述第一传输线的特性阻抗和所述初始隔离度的强度来确定。
9.根据权利要求8所述的天线装置，其特征在于，所述第二传输线的线宽根据所述第二传输线的特性阻抗来确定，所述去耦传输线的线宽根据所述去耦传输线的特性阻抗来确定。
10.根据权利要求7所述的天线装置，其特征在于，所述第二传输线的特性阻抗与所述第一传输线的特性阻抗、所述初始隔离度的强度满足以下关系：Z 2 ＝(1+|S’ 12 |)ⅹZ 1 ；其中，Z 1 为第一传输线的特性阻抗，Z 2 为第二传输线的特性阻抗。
11.根据权利要求7所述的天线装置，其特征在于，所述去耦传输线的特性阻抗与所述第一传输线的特性阻抗、所述初始隔离度的强度满足以下关系：其中，Z 1 为第一传输线的特性阻抗，Z 3 为去耦传输线的特性阻抗。
12.根据权利要求7所述的天线装置，其特征在于：所述第二传输线的长度为3/4λ，其中，λ为波长。
13.根据权利要求1所述的天线装置，其特征在于：所述第一天线单元和第二天线单元具有相同的辐射特性；所述第一去耦网络和所述第二去耦网络配置为具有相同的散射参数。
14.一种电子设备，其特征在于，包括：壳体，显示屏组件，与所述壳体连接，并与所述壳体形成容置空间；馈源，设置在所述容置空间内；以及天线装置，至少部分设置在所述容置空间内，所述天线装置包括：多个间隔设置的天线单元；多个去耦网络，与所述多个天线单元一一对应，其中，每个所述去耦网络均具有输入端口、输出端口和去耦合端口，所述输出端口与对应的天线单元连接，所述输入端口与所述馈源连接；以及去耦传输线，连接在相邻的所述去耦合端口之间，所述去耦网络和连接在该去耦网络上的去耦传输线形成功分器，以将从所述去耦网络的输入端口输入的功率按所述功分器的功分比分配至所述去耦网络对应的天线单元和所述去耦传输线；相邻天线单元之间的耦合度根据所述去耦传输线的长度和所述相邻天线单元对应的去耦网络的散射参数来确定；所述相邻天线单元之间的耦合度与所述去耦传输线的长度和所述相邻天线单元中的一个天线单元对应的去耦网络的散射参数之间满足以下关系：其中，S’ 12 为所述相邻天线单元之间的初始隔离度的强度，所述初始隔离度为所述相邻天线单元未连接各自对应的去耦网络时的隔离度；所述S 12 和S 13 为所述相邻天线单元中的一个天线单元对应的去耦网络的散射参数；d 5 为去耦传输线的长度，k为波数，e为自然常数，j为虚数的表示符号。
15.根据权利要求14所述的电子设备，其特征在于，所述馈源包括多个馈源，所述多个馈源与所述多个去耦网络一一对应，每一所述输入端口与对应的馈源连接。
16.一种用于天线装置的去耦方法，其特征在于，所述天线装置包括馈源、相邻设置的第一天线单元和第二天线单元、连接在所述第一天线单元和所述馈源之间的第一去耦网络，连接在所述第二天线单元和所述馈源之间的第二去耦网络，以及连接在所述第一去耦网络和所述第二去耦网络之间的去耦传输线；所述第一去耦网络与所述去耦传输线形成功分器；所述去耦方法包括：获取所述第一天线单元和所述第二天线单元之间的初始隔离度的强度；其中，所述初始隔离度为所述第一天线单元和所述第二天线单元未连接所述第一去耦网络和所述第二去耦网络时的隔离度；根据所述初始隔离度的强度确定所述功分器的功分比；和将馈入所述第一去耦网络的功率按所述功分比分配至所述第一天线单元和所述去耦传输线；所述第一天线单元和所述第二天线单元之间的耦合度根据所述去耦传输线的长度和所述第一去耦网络和所述第二去耦网络的散射参数来确定；所述第一天线单元和所述第二天线单元之间的耦合度与所述去耦传输线的长度和所述第一去耦网络的散射参数之间满足以下关系：其中，S’ 12 为所述第一天线单元和所述第二天线单元之间的初始隔离度的强度，所述初始隔离度为所述第一天线单元和所述第二天线单元未连接所述第一去耦网络和所述第二去耦网络时的隔离度；所述S 12 和S 13 为所述第一去耦网络的散射参数；d 5 为去耦传输线的长度，k为波数，e为自然常数，j为虚数的表示符号。
17.根据权利要求16所述的去耦方法，其特征在于，还包括：获取所述初始隔离度的相位；和根据所述初始隔离度的相位确定所述去耦传输线的长度。
18.根据权利要求17所述的去耦方法，其特征在于，所述功分比与所述初始隔离度的强度，以及所述去耦传输线的长度与所述初始隔离度的相位满足以下关系：其中， 为所述功分比； 为初始隔离度的相位。
