1.一种灵敏放大器，包括：钳位单元，用于在预充电时对位线进行钳位，并在预充电结束后感应被读取的存储单元的电流，以输出位线电流至数据线；电流采样单元，用于对所述位线电流进行采样，获得采样电流；比较单元，用于对所述采样电流和参考电流进行比较，还包括电压比较器，用于获得比较电压；所述比较单元包括第一电阻、第二电阻、电压比较器以及参考电流源，所述第一电阻的阻值和所述第二电阻的阻值相等；所述第一电阻的一端连接所述电压比较器的反相输入端并用于接收所述采样电流，所述第一电阻的另一端接地；所述第二电阻的一端连接所述参考电流源的一端和所述电压比较器的同相输入端，所述第二电阻的另一端接地；所述参考电流源的另一端用于接收电源电压，所述电压比较器的输出端用于输出所述比较电压；输出单元，用于对所述比较电压进行整形，获得读取数据；其特征在于，所述钳位单元包括运算放大器和调整晶体管；所述运算放大器的同相输入端用于接收参考电压，所述运算放大器的反相输入端和所述调整晶体管的一端连接所述位线，所述运算放大器的输出端连接所述调整晶体管的控制端，所述调整晶体管的另一端连接所述数据线。
2.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述调整晶体管为NMOS晶体管，所述调整晶体管的一端为NMOS晶体管的源极，所述调整晶体管的另一端为NMOS晶体管的漏极，所述调整晶体管的控制端为NMOS晶体管的栅极。
3.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述电流采样单元为电流镜电路。
4.根据权利要求3所述的灵敏放大器，其特征在于，所述电流镜电路包括输入晶体管和镜像晶体管；所述输入晶体管的一端、所述输入晶体管的控制端以及所述镜像晶体管的控制端连接所述数据线，所述镜像晶体管的一端用于输出所述采样电流，所述输入晶体管的另一端和所述镜像晶体管的另一端用于接收电源电压。
5.根据权利要求4所述的灵敏放大器，其特征在于，所述输入晶体管和所述镜像晶体管为PMOS晶体管，所述输入晶体管的一端和所述镜像晶体管的一端为PMOS晶体管的漏极，所述输入晶体管的另一端和所述镜像晶体管的另一端为PMOS晶体管的源极，所述输入晶体管的控制端和所述镜像晶体管的控制端为PMOS晶体管的栅极。
6.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述比较单元包括参考存储单元和数据节点；所述参考存储单元的结构和所述被读取的存储单元的结构相同，用于提供参考电流；所述数据节点用于接收所述采样电流，并输出所述参考电流，以获得所述比较电压。
7.根据权利要求6所述的灵敏放大器，其特征在于，所述被读取的存储单元为阻变存储单元，所述参考存储单元包括选通晶体管和可变电阻；所述选通晶体管的控制端连接所述被读取的存储单元连接的字线，所述选通晶体管的一端接地，所述选通晶体管的另一端连接所述可变电阻的一端，所述可变电阻的另一端连接所述数据节点。
8.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述输出单元包括第一反相器和第二反相器；所述第一反相器的输入端用于接收所述比较电压，所述第一反相器的输出端连接所述第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端用于输出所述读取数据。
9.一种存储器，其特征在于，包括权利要求1至8任一项所述的灵敏放大器。
