1.一种存储单元结构，其特征在于，包括：衬底层，用于为所述存储单元结构提供支撑；阱层，嵌设于所述衬底层，所述阱层的上表面与所述衬底层的上表面持平，其中，所述阱层包括第一阱层和第二阱层，第一阱层嵌设于所述衬底层，所述第一阱层的上表面与所述衬底层的上表面持平；第二阱层设置于所述第一阱层和所述衬底层之间，所述第二阱层的上表面与所述衬底层的上表面持平，用于间隔所述第一阱层和所述衬底层；以及晶体管，设置于所述第一阱层内部及表面；其中，所述晶体管包括栅极、源极和漏极；栅极设置于所述第一阱层的上表面；源极嵌设于所述第一阱层，所述源极上表面暴露于所述第一阱层；漏极嵌设于所述第一阱层，所述漏极上表面暴露于所述第一阱层；第一阻变单元或第二阻变单元，位于所述漏极或所述源极的上方；第一阱电极，嵌设于所述第一阱层，所述第一阱电极的上表面暴露于所述第一阱层；第二阱电极，嵌设于所述第二阱层，所述第二阱电极的上表面暴露于所述第二阱层。
2.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述衬底层是非P型或N型掺杂的结构层；所述第一阱层是P型掺杂结构层，用于形成P型阱层；所述第二阱层是N型掺杂结构层，用于形成N型阱层，作为所述衬底层与所述P型阱层之间的隔离。
3.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述漏极与所述源极之间间隔一定距离；所述栅极设置于所述漏极与所述源极之间的所述第一阱层的上表面。
4.根据权利要求3所述的存储单元结构，其特征在于，存储单元结构还包括：第一互联层，包括多个互联子层，所述第一阻变单元与所述漏极或源极的上表面接触，所述多个互联子层位于所述第一阻变单元的上方；第一连接线，沿第一互联层、第一阻变单元的设置方向设置，用于将所述第一互联层、第一阻变单元与所述源极或漏极连接。
5.根据权利要求3所述的存储单元结构，其特征在于，存储单元结构还包括：第二互联层，包括多个互联子层，所述多个互联子层中的至少一个互联子层位于所述第二阻变单元和所述漏极或源极之间，剩余互联子层位于所述第二阻变单元的上方；第二连接线，沿第二互联层、第二阻变单元的设置方向设置，用于将所述第二阻变单元、第二互联层与所述源极或漏极连接。
6.一种存储器阵列结构，其特征在于，包括：多个存储单元阵列组，在第一方向上相互平行排列，每个存储单元阵列组包括多个存储单元阵列，沿第二方向相互平行排列；每个存储单元阵列包括多个权利要求1-5中任一项所述的存储单元结构；多条位线，沿第一方向相互平行排列，至少两条位线沿第二方向分别连接所述多个存储单元阵列的两端；以及多条字线，沿第一方向相互平行排列，与所述多条位线相互平行，每条字线沿第二方向连接所述多个存储单元阵列中对应位置的存储单元结构的栅极。
7.根据权利要求6所述的存储器阵列结构，其特征在于，所述第一方向垂直于所述第二方向。
8.根据权利要求6所述的存储器阵列结构，其特征在于，所述存储单元阵列至少包括：第一存储单元结构，其漏端与一条位线连接；第二存储单元结构，其漏端与另一条位线连接，源极与所述第一存储单元结构的源极连接形成公共端；其中，所述漏端还包括与所述第一存储单元结构或第二存储单元结构的漏极相连接的阻变单元。
9.根据权利要求8所述的存储器阵列结构，其特征在于，还包括：多条源线，沿第二方向相互平行排列，每条源线沿第一方向连接对应存储单元阵列中的公共端；其中，所述源线同时与位线及字线相互垂直。
10.一种电压偏置方法，应用于权利要求6-9中任一项所述的存储器阵列结构，其特征在于，所述电压偏置方法包括：对确定的所述存储器阵列结构中的存储单元结构的第一阱层施加偏置电压；对与所述存储单元结构的公共端对应的源线施加源端电压，同时对与所述存储单元结构的漏端对应的位线施加漏端电压；其中，所述偏置电压的值为小于零的负值，所述源端电压和漏端电压的值为大于等于偏置电压的值。
