1.一种二次电子发射系数的测量方法，包括以下步骤：步骤S1，提供一二次电子发射系数测量装置，该二次电子发射系数测量装置包括：一扫描电子显微镜；一第一收集板，该第一收集板包括一第一通孔；一第二收集板，该第二收集板包括一第二通孔；一第一电流计、一第二电流计、一电压表以及一法拉第杯，该法拉第杯包括一电子入口，所述电子入口与所述第一通孔、第二通孔贯穿设置，该第一收集板、第二收集板以及法拉第杯均设置于扫描电子显微镜的腔室内，该电压表用于测量待测样品与所述第一收集板之间的电压；该扫描电子显微镜的电子发射端发射高能电子束，该高能电子束依次穿过所述第一通孔、第二通孔进入到所述法拉第杯中，通过所述第二电流计测得进入到法拉第杯中的高能电子束形成的注入电流I 注入电流 ；步骤S2，将所述第一收集板和第二收集板短接，并将待测样品放置在所述第一收集板和第二收集板之间，其中，所述待测样品为二维材料，该二维材料是单原子层或者几个原子层，然后在待测样品与所述第一收集板之间施加50伏电压，其中，待测样品的电压相对于所述第一收集板的电压为正电压，此时，产生的二次电子无法逸出待测样品，第一收集板和第二收集板上无法收集到二次电子信号，即，二次电子形成的电流I SE 理论上为0，采用第一电流计测量待测样品和第一收集板之间的电流I 1 ，背景电流I BG1 忽略，根据公式I 1 =I BG1 +I others +I SE ，求得二次电子之外的其它电子的电流I others ；步骤S3，继续将所述第一收集板和第二收集板短接，然后在第一收集板和待测样品之间施加一正电压，其中，第一收集板的电压相对于待测样品的电压为正电压，该正电压为使第一收集板和待测样品之间的电流I 2 达到饱和时的正电压，采用第一电流计测量第一收集板和待测样品之间的电流I 2 ，背景电流I BG2 忽略，根据公式I 2 =I BG2 +I others +I SE 求得二次电子的电流I SE ；以及步骤S4，根据公式 ，求得二次电子发射系数δ。
2.如权利要求1所述的二次电子发射系数的测量方法，其特征在于，步骤S2中，在待测样品与所述第一收集板之间施加50伏正电压，其中，第一收集板的电压为0V，待测样品的电压为50伏。
3.如权利要求1所述的二次电子发射系数的测量方法，其特征在于，步骤S3中，在第一收集板和待测样品之间施加一正电压，其中，待测样品的电压为0V。
4.如权利要求1所述的二次电子发射系数的测量方法，其特征在于，步骤S3中，在第一收集板和待测样品之间施加20V的正电压。
5.如权利要求1所述的二次电子发射系数的测量方法，其特征在于，所述待测样品的面积大于等于10平方纳米小于等于50平方纳米。
6.如权利要求1所述的二次电子发射系数的测量方法，其特征在于，所述待测样品为二维的金属钼。
7.如权利要求1所述的二次电子发射系数的测量方法，其特征在于，所述扫描电子显微镜的电子发射端发射的高能电子束的聚焦束斑直径为10纳米。
8.如权利要求1所述的二次电子发射系数的测量方法，其特征在于，所述第二收集板与所述第一收集板的间隔距离大于等于80微米小于等于120微米。
9.如权利要求1所述的二次电子发射系数的测量方法，其特征在于，所述第一电流计，第二电流计以及电压表集成到一块源表上。
10.如权利要求1所述的二次电子发射系数的测量方法，其特征在于，所述第一收集板和所述第二收集板均为一铜板。
