1.一种面向处理器芯片的静电放电抗扰度测试组件，其特征在于，包括：分别用于测试IC芯片不同引脚抗扰度的无电容探针和带电容探针；探针连接器，一端用于连接静电放电发生器的输出端，一端用于能拆卸的连接所述无电容探针或所述带电容探针；所述带电容探针所携带的电容为能串联在所述探针连接器与被测高速DDR芯片单端信号引脚之间的耦合电容；所述带电容探针的耦合电容串联在探针连接器与EUT之间；所述无电容探针用于将所述探针连接器与高速DDR芯片差分信号的引脚进行连接；且所述组件还包括：针对差分引脚设置有并联的耦合电容将以对接被测高速DDR芯片差分信号双端引脚的定制PCB测试板；所述无电容探针还用于将所述探针连接器与高速DDR芯片之外的IC芯片的引脚进行连接；所述静电放电发生器采用脉冲电压、频率能设置的静电放电发生器；所述静电放电发生器根据静电放电波形及标准布置要求，设置输出静电放电脉冲的脉冲数和时间间隔并确保测试的一致性；在测试过程中需要在每一个选定引脚处施加接触放电脉冲，每一个电压电平都进行三次注入测试，若测试级别达到上限后且没有损坏，测试将进入另一个选定的引脚。
2.根据权利要求1所述的组件，其特征在于，所述静电放电发生器与所述探针连接器之间还设有衰减器。
3.一种面向处理器芯片的静电放电抗扰度测试方法，其特征在于，包括：将被测IC芯片的引脚划分为两种类型；一类基于无电容探针进行抗扰度测试，一类基于带电容探针进行抗扰度测试；确定被测引脚的类型，选择相应的无电容探针或带电容探针经探针连接器连接静电放电发生器以进行测试；当测量高速DDR芯片的单端信号时，选用所述带电容探针进行测试，所述带电容探针所携带的电容为能串联在所述探针连接器与被测高速DDR芯片单端信号引脚之间的耦合电容；当测量高速DDR芯片的差分信号时，选用针对差分引脚设置有并联的耦合电容将以对接被测高速DDR芯片差分信号双端引脚的定制PCB测试板，然后选用无电容探针进行测试；在进行芯片被测引脚切换和同一被测引脚不同抗扰度所对应的环境状态切换时，相应调整所述静电放电发生器的脉冲电压和频率参数；在进行芯片被测引脚切换和同一被测引脚不同抗扰度所对应的环境状态切换时，根据被测引脚的特点，调整所述静电放电发生器与所述探针连接器之间的衰减器的相应参数。
