一种氮化镓电子器件的复合介质结构

1.一种氮化镓电子器件的复合介质结构，其特征在于，包括：低界面态介质插入层(1)和高击穿电场介质层(2)；低界面态介质插入层(1)，生长在氮化镓电子器件上；高击穿电场介质层(2)，生长在所述低界面态介质插入层(1)上。 2.如权利要求1所述的氮化镓电子器件的复合介质结构，其特征在于，所述低界面态介质插入层(1)的厚度为0.2nm～5nm。 3.如权利要求1所述的氮化镓电子器件的复合介质结构，其特征在于，所述高击穿电场介质层(2)的厚度为5nm～30nm。 4.如权利要求1所述的氮化镓电子器件的复合介质结构，其特征在于，所述低界面态介质插入层(1)的材料包括氮化铝、氮氧化铝、氮化硅化合物、氧化镓化合物或组合中的任意一种。 5.如权利要求1所述的氮化镓电子器件的复合介质结构，其特征在于，所述高击穿电场介质层(2)的材料包括氮化硅化合物、二氧化硅、氮氧化硅化合物、三氧化二铝、氧化镍或组合中的任意一种。 6.如权利要求1所述的氮化镓电子器件的复合介质结构，其特征在于，所述氮化镓电子器件包括衬底(3)、III族氮化物层级结构、源极(9)和漏极(10)，所述III族氮化物层级结构从下到上依次包括氮化镓缓冲层(4)、氮化镓沟道层(5)、二维电子气层(6)、氮化铝插入层(7)和氮镓铝势垒层(8)，源极(9)和漏极(10)设在氮镓铝势垒层(8)表面的两端。