1.一种用于太赫兹射频系统的温控装置，所述太赫兹射频系统包括电路板以及安装在所述电路板的第一侧上的至少一个半导体器件，所述温控装置包括至少一个制冷单元，所述至少一个制冷单元设置在所述电路板的与所述第一侧相反的第二侧，并被配置为对所述电路板上的所述至少一个半导体器件进行主动制冷，基于所述太赫兹射频系统中的每个半导体器件所期望的工作温度将所述电路板的第一侧的用于安装所述半导体器件的空间分割成多个温控区域，所述温控装置还包括屏蔽绝热壳体，所述屏蔽绝热壳体被构造为从所述电路板的第一侧封闭所述多个温控区域，相邻的两个所述温控区域之间设置与所述屏蔽绝热壳体连接的间隔件。
2.根据权利要求1所述的温控装置，其中，所述温控装置还包括：温度传感器，所述温度传感器被配置为感测所述半导体器件的温度；以及温度控制器，所述温度控制器分别与所述温度传感器和所述制冷单元连接，并被配置为基于所述温度传感器所感测的所述半导体器件的温度来控制所述制冷单元的工作状态。
3.根据权利要求2所述的温控装置，其中，所述多个温控区域中的至少一个温控区域设置有所述温度传感器以及所述制冷单元，以使得所述至少一个温控区域内的半导体器件处于其所期望的工作温度。
4.根据权利要求3所述的温控装置，其中，由相同的材料和工艺制成、且工作发热量相同的半导体器件位于同一温控区域内。
5.根据权利要求1或2所述的温控装置，其中，所述制冷单元包括制冷器以及位于所述制冷器与所述电路板之间的蓄冷材料。
6.根据权利要求5所述的温控装置，其中，所述制冷器为半导体制冷器或制冷机。
7.根据权利要求1所述的温控装置，其中，所述屏蔽绝热壳体具有开口，所述开口位于所述电路板的第二侧处，所述制冷单元在所述屏蔽绝热壳体的开口处与所述屏蔽绝热壳体连接。
8.根据权利要求1或2所述的温控装置，其中，所述温控装置还包括设置在所述制冷单元的远离所述电路板的一侧的散热组件。
9.一种太赫兹射频系统，其中，所述太赫兹射频系统包括根据权利要求1-8中任一项所述的温控装置。
10.根据权利要求9所述的太赫兹射频系统，其中，所述太赫兹射频系统包括射频接收单元，所述射频接收单元被配置为接收太赫兹波段电磁波，并包括接收电路板以及安装在所述接收电路板的第一侧上的多个第一半导体组件，所述多个第一半导体组件包括混频器、中频低噪声放大器以及检波器，每个所述第一半导体组件均包括所述半导体器件。
11.根据权利要求10所述的太赫兹射频系统，其中，所述中频低噪声放大器和所述检波器位于同一温控区域内。
12.根据权利要求11所述的太赫兹射频系统，其中，基于所述中频低噪声放大器的中频放大管的温度对所述制冷单元进行控制，以使得所述中频低噪声放大器的中频放大管处于其所期望的工作温度。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的太赫兹射频系统，其中，所述太赫兹射频系统还包括射频发射单元，所述射频发射单元被配置为发射太赫兹波段电磁波，并包括发射电路板以及安装在所述发射电路板的第一侧上的多个第二半导体组件，所述多个第二半导体组件包括信号源、功率放大器和倍频器，每个所述二半导体组件均包括所述半导体器件。
14.根据权利要求13所述的太赫兹射频系统，其中，所述发射电路板和所述接收电路板集成在一起，所述倍频器和所述混频器位于同一温控区域内。
15.根据权利要求14所述的太赫兹射频系统，其中，基于所述混频器的混频管的温度对所述制冷单元进行控制，以使得所述混频器的混频管处于其所期望的工作温度。
16.根据权利要求13所述的太赫兹射频系统，其中，所述功率放大器位于单独的温控区域内。
17.根据权利要求13所述的太赫兹射频系统，其中，所述功率放大器的芯片穿过所述电路板并压靠在所述制冷单元上。
18.一种太赫兹安检设备，其中，所述太赫兹安检设备包括根据权利要求9-17中任一项所述的太赫兹射频系统。
