1.一种聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：通过方法1或方法2制备聚酰胺酸树脂溶液，所述方法1包括以下步骤：分别称取一定量的芳香族二胺A固体粉料、含氟芳香族二胺B固体粉料和芳香族二胺C固体粉料，将其加入惰性气体保护的盛有一定量极性非质子溶剂的反应器中，在室温至60℃温度下搅拌溶解形成均相芳香族二胺溶液；称取一定量的芳香族二酐粉料，在搅拌下于-10℃至60℃温度将其加入上述的均相芳香族二胺溶液中，通过芳香族二胺与芳香族二酐的缩聚反应形成粘稠的聚酰胺酸树脂溶液，过滤后待用，聚酰胺酸树脂溶液的固含量控制在15～35wt.％范围内，粘度控制在10～45x10 4 mPa·s范围内；所述方法2包括以下步骤：称取一定量的芳香族二胺A固体粉料和一定量的含氟芳香族二胺B固体粉料，将其加入惰性气体保护的盛有一定量极性非质子溶剂的反应器中，在室温至60℃温度下搅拌溶解形成均相芳香族二胺溶液；称取一定量的芳香族二酐粉料，在搅拌下于-10℃至60℃温度将其分批加入上述均相芳香族二胺溶液中，搅拌反应一定时间形成具有一定粘度的中间树脂溶液；称取一定量的芳香族二胺C，在搅拌下加入到上述中间树脂溶液中，或先将芳香族二胺C溶解或分散于一定量的极性非质子溶剂形成芳香族二胺C溶液或悬浮液，在搅拌下加入到上述中间树脂溶液中；称取一定量的芳香族二酐粉料，将其在搅拌下加入上述的中间树脂溶液中，反应一定时间后形成粘稠的聚酰胺酸树脂溶液，过滤后待用，聚酰胺酸树脂溶液的固含量控制在15～35wt.％范围内，粘度控制在10～45x10 4 mPa·s范围内；所述芳香族二胺A包括4,4'-二氨基二苯醚、3,4'-二氨基二苯醚、1,3-双(4-氨基苯氧基)苯、1,4-双(4-氨基苯氧基)苯及4,4'-二氨基二苯砜中的一种或多种组合；所述含氟芳香族二胺B包括双(2-三氟甲基-4-氨基苯氧基)苯、双(2-三氟甲基-4-氨基苯氧基)联苯、4,4'-二氨基-2,2'-三氟甲基联苯及双(4-氨基苯氧基苯基)六氟丙烷中的一种或多种组合；称取一定量所述方法1或方法2制得的聚酰胺酸树脂溶液，真空脱泡后进行亚胺化，得到自支撑半固化胶膜；将得到的自支撑半固化胶膜固定于框架上，对自支撑半固化胶膜升温加热至设定温度后，冷却至室温，得到聚酰亚胺初级薄膜；将得到的聚酰亚胺初级薄膜经过退火处理，得到聚酰亚胺薄膜。
2.如权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于：制备聚酰胺酸树脂溶液的方法还包括称取一定量的芳香族二酐粉料，将其溶解或悬浮于一定量的极性非质子溶剂形成芳香族二酐溶液或悬浮液，将其在搅拌下加入所述方法1或方法2制得的聚酰胺酸树脂溶液中，用以调整聚酰胺酸树脂溶液的粘度。
3.如权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于：所述极性非质子溶剂包括N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺及二甲基亚砜中的一种或多种组合。
4.如权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于：所述芳香族二胺C，包括对苯二胺、4,4'-二氨基联苯及4,4'-二氨基2,2'-二甲基联苯中的一种或多种组合。
5.如权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于：所述芳香族二酐包括均四苯甲酸二酐、3,3',4,4'-联苯四酸二酐、2,3',3,4'-联苯四酸二酐、3,3’,4,4’-二苯甲酮四酸二酐、2,3',3,4'-二苯甲酮四酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲醚四酸二酐及2,3',3,4'-二苯甲醚四酸二酐中的一种或多种组合。
6.如权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于：所述芳香族二胺A与含氟芳香族二胺B的克分子配比范围为10:40至40:10，芳香族二胺A和含氟芳香族二胺B之和与芳香族二胺C的克分子配比为30:70至70:30。
7.如权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于：所述亚胺化步骤包括：将聚酰胺酸树脂溶液于-5℃～5℃低温下与化学亚胺化试剂搅拌混合、脱泡，然后透过狭缝模具挤出并涂覆于无缝连续镜面不锈钢带或玻璃板支撑物表面上，形成具有一定厚度的含化学亚胺化试剂的聚酰胺酸胶膜；在烘道内或烘箱内加热至40℃-250℃范围，经过一定时间后，将形成的含有部分溶剂的部分亚胺化的聚酰胺酸胶膜从支撑物表面上剥离，得到自支撑半固化胶膜。
8.如权利要求7所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于：所述化学亚胺化试剂包括有机酸酐脱水剂和有机碱催化剂及有机溶剂,所述有机酸酐脱水剂包括乙酸酐、丙酸酐、丁酸酐、苯酸酐及马来酸酐中的一种或多种组合，所述有机碱催化剂包括吡啶、2-甲基吡啶、3-甲基吡啶及异喹啉中的一种或多种组合，所述有机溶剂包括二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺及N-甲基吡咯烷酮中的一种或多种组合。
9.一种聚酰亚胺薄膜，其特征在于：采用如权利要求1-8任意一项所述的聚酰亚胺薄膜制备方法制得，所述聚酰亚胺薄膜的介电常数≤3.0，介电损耗≤0.008。
10.一种射频挠性印制电路的基膜，其特征在于：采用如权利要求9所述的聚酰亚胺薄膜制得。
