1.一种氯喹那多晶体的制备方法,其特征在于采用高分子表面活性剂和溶剂对氯喹那多粗品进行精制,得到氯喹那多晶体;高分子表面活性剂为失水山梨醇酯类表面活性剂;溶剂为丙酮或乙腈;当溶剂为丙酮时,所述的氯喹那多晶体的制备方法是氮气保护下,将氯喹那多粗品加入到溶剂中,升温溶解,脱色,然后热滤,滤液搅拌降温,加入纯化水和高分子表面活性剂,保温静置养晶,然后梯度降温,搅拌析晶,然后过滤,淋洗,减压烘干得氯喹那多晶体;当溶剂为乙腈时,所述的氯喹那多晶体的制备方法是氮气保护下,将氯喹那多粗品加入到溶剂中,升温溶解,脱色,然后热滤,滤液搅拌降温,加入高分子表面活性剂,保温静置养晶,然后梯度降温,搅拌析晶,然后过滤,淋洗,减压烘干得氯喹那多晶体;静置养晶温度为30-60℃,静置养晶时间为10-20小时;梯度降温是以每1小时5℃的速率降温至15-25℃,保温搅拌1-2小时,然后以每1小时10℃的速率,温度降至-5—15℃;搅拌析晶温度为-5—15℃,搅拌析晶时间为6-10小时。
2.根据权利要求1所述的氯喹那多晶体的制备方法,其特征在于高分子表面活性剂为吐温-80或司盘-60。
3.根据权利要求1所述的氯喹那多晶体的制备方法,其特征在于氯喹那多粗品与高分子表面活性剂的质量比为1:0.001-0.005。
4.根据权利要求1所述的氯喹那多晶体的制备方法,其特征在于氯喹那多粗品与溶剂的配比为1:5-10,氯喹那多粗品以g计,溶剂以ml计。
5.根据权利要求1所述的氯喹那多晶体的制备方法,其特征在于氯喹那多粗品与纯化水的质量比为1:2-6。