1.一种高耦合分裂电抗器建模方法，其特征在于，所述方法用于建立高耦合分裂电抗器模型，所述高耦合分裂电抗器模型包括相互并联的理想耦合电抗器子模型和高频模块子模型，所述方法包括：建立所述理想耦合电抗器子模型，其中，所述理想耦合电抗器子模型用于模拟无杂散电容和杂散电感影响的高耦合分裂电抗器；根据所述高耦合分裂电抗器的四个端口在预设频率范围内的频率特性参数，确定多个频率点对应的所述高耦合分裂电抗器的四阶导纳矩阵；确定所述多个频率点对应的所述理想耦合电抗器子模型的四阶导纳矩阵；根据所述多个频率点对应的所述高耦合分裂电抗器的四阶导纳矩阵与所述理想耦合电抗器子模型的四阶导纳矩阵的差，确定所述多个频率点对应的所述高频模块子模型的四阶导纳矩阵；根据所述多个频率点对应的所述高频模块子模型的四阶导纳矩阵，采用四端口π形等效电路，通过图像法拟合得到所述高频模块子模型；将所述高频模块子模型与所述理想耦合电抗器子模型并联，得到所述高耦合分裂电抗器模型。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述多个频率点对应的所述高频模块子模型的四阶导纳矩阵，采用四端口π形等效电路，通过图像法拟合得到所述高频模块子模型，包括：根据所述多个频率点对应的所述高频模块子模型的四阶导纳矩阵，确定所述多个频率点对应的所述四端口π形等效电路的各个端的端地导纳和/或端间导纳，其中，所述端地导纳是指端与地之间的导纳值，所述端间导纳是指两个端之间的导纳值；根据所述多个频率点对应的所述四端口π形等效电路的各个端的端间导纳，确定端间导纳频率特性曲线；根据所述多个频率点对应的所述四端口π形等效电路的各个端的端地导纳，确定端地导纳频率特性曲线；根据所述端地导纳频率特性曲线和/或所述端间导纳频率特性曲线，确定若干个导纳峰值；根据所述若干个导纳峰值，通过图像法拟合，确定所述四端口π形等效电路的各个端的端间支路和端地支路，得到所述高频模块子模型，其中所述端间支路和所述端地支路均为RLCG支路。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述若干个导纳峰值，通过图像法拟合，确定所述四端口π形等效电路的各个端的端间支路和端地支路，得到所述高频模块子模型，包括：根据所述若干个导纳峰值，根据公式(1)确定所述四端口π形等效电路的各个端的端间支路和端地支路，得到所述高频模块子模型；其中，y max 为所述导纳峰值，a" k 为极点虚部，a' k 表示极点实部，c' k 为留数实部，c" k 为留数虚部，f max 为所述导纳峰值对应的频率，C k 为电容，L k 为电感，R k 为电阻，G k 为电导。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述多个频率点对应的所述高频模块子模型的四阶导纳矩阵，确定所述多个频率点对应的所述四端口π形等效电路的各个端的端地导纳，包括：将各个频率对应的所述高频模块子模型的四阶导纳矩阵的各行分别相加，得到各个频率对应的各个端的所述端地导纳。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述多个频率点对应的所述高频模块子模型的四阶导纳矩阵，确定所述多个频率点对应的所述四端口π形等效电路的各个端的端间导纳，包括：将各个频率对应的所述高频模块子模型的四阶导纳矩阵的非对角线元素分别取负，得到各个频率对应的各个端的所述端间导纳。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定所述多个频率点对应的所述理想耦合电抗器子模型的四阶导纳矩阵，包括：根据公式(2)确定所述多个频率点对应的所述理想耦合电抗器子模型的四阶导纳矩阵；其中，Y i(k) 为频率点k对应的所述理想耦合电抗器子模型的四阶导纳矩阵，L 1 为所述理想耦合电抗器子模型的第一臂的电感，L 2 为所述理想耦合电抗器子模型的第二臂的电感，M为所述理想耦合电抗器子模型的第一臂和第二臂的互感，ω为角频率。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述高耦合分裂电抗器的四个端口在预设频率范围内的频率特性参数，确定多个频率点对应的所述高耦合分裂电抗器的四阶导纳矩阵，包括：分别获取预设频率范围内所述高耦合分裂电抗器的四个端口在多个频率点下的阻抗值；根据所述阻抗值，分别计算各个频率点下每个端口的自导纳值和与其他端口的互导纳值，得到所述高耦合分裂电抗器的四阶导纳矩阵。
8.一种高耦合分裂电抗器建模装置，其特征在于，用于建立高耦合分裂电抗器模型，所述高耦合分裂电抗器模型包括相互并联的理想耦合电抗器子模型和高频模块子模型，所述装置包括：理想电抗器子模型建立模块，用于建立所述理想耦合电抗器子模型，其中，所述理想耦合电抗器子模型用于模拟无杂散电容和杂散电感影响的高耦合分裂电抗器；第一导纳矩阵确定模块，用于根据所述高耦合分裂电抗器的四个端口在预设频率范围内的频率特性参数，确定多个频率点对应的所述高耦合分裂电抗器的四阶导纳矩阵；第二导纳矩阵确定模块，用于确定所述多个频率点对应的所述理想耦合电抗器子模型的四阶导纳矩阵；第三导纳矩阵确定模块，用于根据所述多个频率点对应的所述高耦合分裂电抗器的四阶导纳矩阵与所述理想耦合电抗器子模型的四阶导纳矩阵的差，确定所述多个频率点对应的所述高频模块子模型的四阶导纳矩阵；高频子模型拟合模块，用于根据所述多个频率点对应的所述高频模块子模型的四阶导纳矩阵，采用四端口π形等效电路，通过图像法拟合得到所述高频模块子模型；并联模块，用于将所述高频模块子模型与所述理想耦合电抗器子模型并联，得到所述高耦合分裂电抗器模型。
9.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至7中任一项所述方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至7中任一项所述的方法的步骤。
