1.一种绝缘栅双极型晶体管器件的制造方法,其特征在于，获取衬底，所述衬底上形成有漂移区、栅极区、缓冲区、场氧层；去除所述漂移区上方位于所述栅极区与所述缓冲区之间区域的场氧层后形成第一沟槽，所述第一沟槽的一端与所述栅极区相邻，所述第一沟槽的另一端与所述缓冲区之间具有场氧层；在所述衬底上形成具有第一内应力的氮化硅层，所述氮化硅层位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方；其中，所述氮化硅层靠近所述缓冲区的一端位于所述第一沟槽的上方。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成具有第一内应力的氮化硅层之前还包括步骤：在所述衬底上形成第一氧化层，所述第一氧化层位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方；所述在所述衬底上形成具有第一内应力的氮化硅层的步骤是在所述第一氧化层上方形成所述氮化硅层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度大于等于0.1微米且小于等于0.3微米，所述第一氧化层的厚度大于0微米且小于等于0.15微米。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一内应力为张应力，所述第一内应力大于0帕且小于等于2吉帕；或所述第一内应力为压应力，所述第一内应力大于等于-2吉帕且小于0帕。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化硅层的一端与所述栅极区远离第一沟槽的一端之间的距离大于等于0微米且小于等于1.5微米，所述氮化硅层的另一端与所述栅极区临近第一沟槽的一端之间的距离大于0微米且小于18微米。
6.一种绝缘栅双极型晶体管器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上形成有漂移区、栅极区、缓冲区、场氧层；所述漂移区上方位于所述栅极区与所述缓冲区之间的区域开设有第一沟槽，所述第一沟槽的一端与所述栅极区相邻，所述第一沟槽的另一端与所述缓冲区之间具有场氧层；氮化硅层，所述氮化硅层位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方；其中，所述氮化硅层具有第一内应力，所述氮化硅层靠近所述缓冲区的一端位于所述第一沟槽的上方。
7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述器件还包括第一氧化层，所述第一氧化层位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方，并且所述第一氧化层上方形成有所述氮化硅层。
8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述氮化硅层的厚度大于等于0.1微米且小于等于0.3微米，所述第一氧化层的厚度大于0微米且小于等于0.15微米。
9.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述第一内应力为张应力，所述第一内应力大于0帕且小于等于2吉帕；或所述第一内应力为压应力，所述第一内应力大于等于-2吉帕且小于0帕。
10.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述氮化硅层的一端与所述栅极区远离第一沟槽的一端之间的距离大于等于0微米且小于等于1.5微米，所述氮化硅层的另一端与所述栅极区临近第一沟槽的一端之间的距离大于0微米且小于18微米。
