1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一第一碳纳米管，一半导体层，以及一第二碳纳米管，该半导体层定义一第一表面以及与该第一表面相对设置的第二表面，该第一碳纳米管设置在半导体层的第一表面，并与第一表面直接接触，该第二碳纳米管设置在半导体层的第二表面，并与该第二表面直接接触，且所述第一碳纳米管的延伸方向与第二碳纳米管的延伸方向交叉设置，所述半导体层包括一n型半导体层和一p型半导体层，该n型半导体层和p型半导体层层叠设置，该n型半导体层和p型半导体层均为二维材料，在所述第一碳纳米管以及第二碳纳米管的交叉点处，在垂直于所述半导体层的方向上，所述第一碳纳米管、半导体层以及第二碳纳米管的重叠区域形成一多层立体结构，所述第一碳纳米管和第二碳纳米管均为内壳碳纳米管，该内壳碳纳米管是指双壁碳纳米管或多壁碳纳米管剥去外壳后形成的单壁碳纳米管，该内壳碳纳米管的制备方法是：在长度在150微米以上的双壁碳纳米管或多壁碳纳米管的两端拉伸该双壁碳纳米管或多壁碳纳米管，使双壁碳纳米管或多壁碳纳米管的外壁在中间部位断裂，使该双壁碳纳米管或多壁碳纳米管的中间部分仅剩下最内层的碳纳米管，进而得到一段最内层的碳纳米管，该段最内层的碳纳米管为所述内壳碳纳米管，通过调控电势，所述半导体结构的异质结在p-p结，p-n结，和n-n结之间切换。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一碳纳米管的延伸方向垂直于所述第二碳纳米管的延伸方向。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一碳纳米管和第二碳纳米管均为金属性碳纳米管。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，半导体层的厚度为1.0-100纳米。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述n型半导体层的厚度为0.5-50纳米，所述p型半导体层的厚度为0.5-50纳米。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述n型半导体层的材料为硫化钼（MoS 2 ）；所述p型半导体层的材料为硒化钨（WSe 2 ）。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该多层立体结构的横向截面的面积为1nm 2 ~100nm 2 。
8.一种半导体器件，包括一第一电极、一第二电极、一半导体结构及一第三电极，该半导体结构与该第一电极和第二电极电连接，该第三电极通过一绝缘层与该半导体结构、第一电极及第二电极绝缘设置，其特征在于，所述半导体结构为权利要求1-7中任一项的半导体结构，通过调控第三电极的电压，所述半导体器件在三种不同工作模式下切换。
9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述n型半导体层与所述第一碳纳米管直接接触，所述p型半导体层与所述第二碳纳米管直接接触，所述第二碳纳米管直接设置在绝缘层表面，第二碳纳米管靠近第三电极，第一碳纳米管远离第三电极。
