1.一种基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，包括基底、多个薄膜、多个导电件、多个导线及两个磁性件，各所述薄膜分别设置于所述基底的其中一面，每一所述薄膜上分别设置有两个所述导电件，每一所述导线的一端与一所述导电件连接，各所述导线的远离所述导电件的一端用于分别与电数据采集组件连接，两个所述磁性件分别设置于所述基底朝向所述薄膜的一面，两个所述磁性件围绕各所述薄膜设置，且两个所述磁性件对应设置。
2.根据权利要求1所述的基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，还包括转移带和固定架，所述基底通过所述转移带与所述固定架粘接。
3.根据权利要求1所述的基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，还包括屏蔽罩，所述屏蔽罩包裹所述基底设置。
4.根据权利要求1所述的基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，还包括挡板，所述挡板设置于所述基底朝向所述薄膜的一面，且所述挡板围绕于所述薄膜的外侧设置。
5.根据权利要求1所述的基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，还包括电数据采集组件，各所述导线的远离所述导电件的一端分别与电数据采集组件连接。
6.根据权利要求1所述的基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，各所述薄膜呈矩形阵列设置于所述基底上。
7.根据权利要求1所述的基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，所述导线远离所述导电件的一端用于穿过所述基底设置。
8.根据权利要求1-7任一项中所述的基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，所述磁性件为永磁体。
9.根据权利要求1-7任一项中所述的基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，所述导电件的材料包括银。
10.根据权利要求1-7任一项中所述的基于金属薄膜热效应的等离子体辐射能量测量薄膜量热计，其特征在于，所述薄膜的材料包括镍。
