快瞬态响应LDO及其电路

1.一种快瞬态响应LDO电路，其特征在于，包括：第一晶体管；第一电阻，其一端与所述第一晶体管的源极相连，所述第一电阻的另一端与输入电压相连；第二电阻，其一端与所述输入电压相连；第四晶体管，其源极与所述第二电阻的另一端相连，所述第四晶体管的栅极与所述第四晶体管的漏极以及所述第一晶体管的栅极均相连；负载晶体管，其源极与所述输入电压相连，所述负载晶体管的栅极与所述第四晶体管的漏极相连，所述负载晶体管的漏极作为所述快瞬态响应LDO电路的电压输出端；第五晶体管，其源极与控制电压相连，所述第五晶体管的漏极与所述第一晶体管的漏极相连，所述第五晶体管的栅极与所述第五晶体管的漏极相连；第六晶体管，其栅极与所述第五晶体管的源极相连，所述第六晶体管的漏极与所述第四晶体管的栅极相连；第七晶体管，其源极与所述负载晶体管的漏极相连，所述第七晶体管的栅极与所述第五晶体管的栅极相连，所述第七晶体管的漏极与所述第六晶体管的源极相连；进一步地，所述快瞬态响应LDO电路还包括：第二晶体管，其源极与所述第一电阻的所述另一端相连，其栅极与该第二晶体管的漏极相连；第三晶体管，其栅极与所述第二晶体管的栅极相连，其源极与所述第二晶体管的源极以及所述第二电阻的一端均相连，其漏极与所述第一晶体管的栅极以及所述第六晶体管的漏极均相连；第八晶体管，其漏极与所述第五晶体管的漏极相连，所述第八晶体管的栅极与第一偏置电压相连；第九晶体管，其漏极与所述第八晶体管的源极相连，所述第九晶体管的栅极与第二偏置电压相连；第十晶体管，其源极与所述第九晶体管的源极相连，所述第十晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极相连；第二电容，其一端与所述第十晶体管的栅极相连，所述第二电容的另一端与所述负载晶体管的漏极相连；第十一晶体管，其源极与所述第十晶体管的源极相连，所述第十一晶体管的栅极与所述第十晶体管的栅极相连；电流源，其输出端与所述第十一晶体管的漏极以及所述第十一晶体管的栅极均相连；第十二晶体管，其漏极与所述第六晶体管的源极以及所述第七晶体管的漏极均相连，所述第十二晶体管的栅极与第三偏置电压相连；第十三晶体管，其漏极与所述第十二晶体管的源极相连，所述第十三晶体管的源极与所述第十一晶体管的源极相连，所述第十三晶体管的栅极与第四偏置电压相连；第三电容，其一端与所述负载晶体管的漏极相连；第十四晶体管，其漏极与所述第十二晶体管的漏极以及所述第七晶体管的漏极均相连，所述第十四晶体管的源极与所述第三电容的另一端相连，所述第十四晶体管的栅极与第五偏置电压相连；第十五晶体管，其漏极与所述第十四晶体管的漏极相连，所述第十五晶体管的源极与所述第十三晶体管的源极相连，所述第十五晶体管的栅极与第六偏置电压相连。 2.如权利要求1所述的快瞬态响应LDO电路，其特征在于，所述快瞬态响应LDO电路还包括：第一电容，其一端与所述第五晶体管的栅极相连，所述第一电容的另一端与所述第九晶体管的源极相连。 3.如权利要求1所述的快瞬态响应LDO电路，其特征在于，所述第五晶体管和所述第六晶体管是一对镜像关系的电流镜。 4.如权利要求1所述的快瞬态响应LDO电路，其特征在于，所述第五晶体管和所述第六晶体管的宽长比的比与所述第五晶体管和所述第六晶体管的电流比相等。 5.如权利要求1所述的快瞬态响应LDO电路，其特征在于，所述第六晶体管为NMOS管。 6.如权利要求1所述的快瞬态响应LDO电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第七晶体管以及所述负载晶体管均为PMOS管，所述第八晶体管、所述第九晶体管、所述第十晶体管、所述第十一晶体管、所述第十二晶体管、所述第十三晶体管、所述第十四晶体管以及所述第十五晶体管均为NMOS管。 7.一种快瞬态响应LDO，其特征在于，包括如权利要求1～6任一所述的快瞬态响应LDO电路。