1.一种横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：漂移区，具有第一导电类型；第一体区，设于所述漂移区上，具有第二导电类型；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；第一导电类型区，设于所述第一体区内；第二体区，设于所述第一导电类型区内，具有第二导电类型；源极区，设于所述第二体区内，具有第一导电类型；接触区，设于所述第一体区内、所述第一导电类型区外，具有第二导电类型。
2.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括设于所述漂移区上的漏极区。
3.根据权利要求2所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括设于所述漂移区上的缓冲区，所述缓冲区具有第一导电类型，所述缓冲区设于所述漂移区内。
4.根据权利要求2或3所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括设于所述源极区和漏极区之间的栅极。
5.根据权利要求4所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括设于所述源极区和漏极区之间的场氧层，所述栅极包括从所述源极区上延伸至所述场氧层上的多晶硅栅。
6.根据权利要求5所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型是N型，所述第二导电类型是P型。
7.根据权利要求6所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述器件等效于具有第一MOS管、第二MOS管、体二极管及寄生NPN三极管，所述第一MOS管和第二MOS管的栅极包括所述多晶硅栅，所述第一MOS管的源极和第二MOS管的漏极包括所述第一导电类型区，所述第一MOS管的漏极包括所述漏极区，所述第二MOS管的源极包括所述源极区，所述体二极管的阴极包括所述漂移区、阳极包括所述第一体区，所述寄生NPN三极管的基极包括所述第一体区、集电极包括所述漂移区、发射极包括所述第一导电类型区。
8.根据权利要求3所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述漂移区和缓冲区的掺杂浓度低于所述源极区和漏极区的掺杂浓度。
9.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括第二导电类型的衬底和所述衬底上的埋氧层，所述漂移区设于所述埋氧层上。
10.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第一体区的掺杂浓度低于所述接触区的掺杂浓度。
