IGZO薄膜晶体管及其制造方法

本发明涉及一种IGZO薄膜晶体管及其制造方法，所述方法包括：获取基底；通过溶液工艺在所述基底上形成IGZO层；通过自旋掺杂工艺在所述IGZO层表面掺杂V族杂质；在所述IGZO层的一侧形成源极、另一侧形成漏极，并在所述掺杂后的IGZO层上形成栅介电层；在所述栅介电层上形成栅极。本发明的IGZO层通过溶液工艺形成，并通过自旋掺杂工艺在沟道区表面掺杂V族杂质，能够提高沟道载流子浓度，从而提高器件工作电流密度；且由于掺杂采用溶液工艺，相比于离子注入等工艺不会造成IGZO层表面损伤。