一种氧化铈忆阻器薄膜的制备方法

1.一种氧化铈忆阻器薄膜的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1，制备氧化铈溶胶；在室温下对得到的氧化铈胶溶搅拌6h~8h，之后陈化24h；步骤2，采用浸渍-提拉法，以氧化铈溶胶为原料在室温下使用提拉机在ITO基板上进行氧化铈凝胶薄膜的提拉，氧化铈凝胶薄膜在室温下干燥后，于300℃-700℃下进行热处理，冷却后得到氧化铈薄膜；制备氧化铈溶胶具体为：以无水乙醇为溶剂，以硝酸铈为前驱体，苯甲酰丙酮为化学修饰剂，将硝酸铈、苯甲酰丙酮和无水乙醇以1:0.2:20的摩尔比混合后在磁力搅拌器上搅拌1h~2h直至混合液溶胶澄清，再将其密封好陈化20h~24h，即得到氧化铈溶胶；步骤3，使用紫外线对步骤2得到的氧化铈薄膜进行辐照，得到氧化铈忆阻器薄膜。 2.根据权利要求1所述的氧化铈忆阻器薄膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤2中，热处理在氧气气氛下进行。 3.根据权利要求1所述的氧化铈忆阻器薄膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤2中，热处理的时间为20min。 4.根据权利要求1所述的氧化铈忆阻器薄膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤3中，使用功率为30W的紫外LED光源对氧化铈薄膜进行辐照，该紫外LED光源波长为365nm，辐照距离为2厘米，辐照时常为2h。