1.一种氮化镓功率器件，其特征在于，包括：氮化镓基底，具有第一导电类型；阴极，设于所述氮化镓基底上，包括第一阴极和与所述第一阴极间隔设置的第二阴极；多个氮化镓凸起结构，具有第一导电类型，设于所述氮化镓基底上、所述第一阴极和第二阴极之间，相邻的氮化镓凸起结构之间形成凹槽；电子迁移层，覆盖各所述氮化镓凸起结构的顶部和侧面；氮化镓层，具有第一导电类型，设于所述电子迁移层上并填充各所述凹槽；所述电子迁移层用于在被设置的位置形成导电沟道区，所述导电沟道区的电子迁移率高于所述氮化镓层的电子迁移率；多个第二导电类型区，每个第二导电类型区从所述氮化镓层的顶部向下伸入一所述凹槽，各所述氮化镓凸起结构的顶部均高于各所述第二导电类型区的底部；所述第一导电类型为与第二导电类型相反的导电类型；阳极，设于所述氮化镓层和各所述第二导电类型区上。
2.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述电子迁移层包括覆盖各所述氮化镓凸起结构的顶部和侧面的异质结诱生层，所述异质结诱生层与下方的氮化镓材料的接触界面形成异质结，从而在所述接触界面靠近氮化镓材料的一侧形成二维电子气层。
3.根据权利要求2所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述异质结诱生层包括氮化铝镓层。
4.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述电子迁移层包括碳纳米管层或石墨烯层。
5.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述氮化镓功率器件是结势垒肖特基二极管。
6.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述电子迁移层还覆盖所述凹槽底部，以及覆盖所述氮化镓基底位于第一阴极和第二阴极之间的表面。
7.根据权利要求1所述的氮化镓功率器件，其特征在于，每一所述凹槽对应设置有一个或两个以上伸入凹槽的所述第二导电类型区。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的氮化镓功率器件，其特征在于，所述第一导电类型是N型，所述第二导电类型是P型；所述多个第二导电类型区是多个P掺杂氮化镓区域。
9.一种氮化镓功率器件的制造方法，包括：获取第一导电类型的氮化镓基底；在所述氮化镓基底的表面刻蚀出多个凹槽，凹槽间剩余的氮化镓基底形成氮化镓凸起结构；在所述氮化镓凸起结构的顶部和侧面覆盖形成电子迁移层；在所述电子迁移层上形成氮化镓层并让所述氮化镓层填满各所述凹槽，所述氮化镓层具有第一导电类型；所述电子迁移层用于在被设置的位置形成导电沟道区，所述导电沟道区的电子迁移率高于所述氮化镓层的电子迁移率；形成多个从所述氮化镓层的顶部向下伸入一所述凹槽的第二导电类型区；形成阳极和阴极，所述阳极形成于所述氮化镓层和所述多个第二导电类型区上，所述阴极形成于所述氮化镓基底表面，包括第一阴极和第二阴极，所述氮化镓层和各所述氮化镓凸起结构位于所述第一阴极和第二阴极之间。
10.根据权利要求9所述的氮化镓功率器件的制造方法，其特征在于，所述形成电子迁移层的步骤包括外延形成氮化铝镓层，所述形成氮化镓层的步骤是通过外延形成，所述形成多个从所述氮化镓层的顶部向下伸入一所述凹槽的第二导电类型区的步骤是外延形成第二导电类型氮化镓区域。
