1.一种光纤的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：依次在靶棒表面形成主要由二氧化硅构成的芯层、内包层及中包层，得到粉末棒，其中所述芯层还掺入有锗和氯，形成所述芯层的反应气体包括氧气、氢气、四氯化硅、氯气、四氯化锗、氩气体，其中四氯化锗的通入流量控制在50-200cc/min，氯气的通入流量控制在300-750cc/min，所述内包层和所述中包层还掺入有氟，形成所述内包层的反应气体包括氧气、氢气、四氯化硅、氟化物、氩气体，其中四氯化硅的通入流量控制在20g/min~50g/min，氟化物的通入流量控制在50g/min~400g/min，反应生成的掺氟二氧化硅粉末密度控制在0.5~1.5g/cm 3 ，形成所述中包层的反应气体包括氧气、氢气、四氯化硅、氟化物、氩气体，其中四氯化硅的通入流量控制在20g/min~50g/min，氟化物的通入流量控制在50g/min~900g/min，反应生成的掺氟二氧化硅粉末密度控制在0.5~1.5g/cm 3 ；将所述粉末棒依序进行脱羟、烧结、玻璃化、退火四个阶段处理以成型具有预设剖面折射率的玻璃棒，其中退火阶段包括若干降温段和若干恒温段，所述退火阶段依序包括第一降温段、第一恒温段、第二降温段、第二恒温段、及第三降温段，第一降温段以玻璃化阶段结束时温度为起始温度，线性降温50~75℃；将第一降温段结束时温度作为第一恒温段的温度，保温时长1~3h，期间保持通入5L/min~15L/min流量的氮气形成保护气氛；第二降温段以第一恒温段的温度为起始温度，线性降温50~75℃；将第二降温段结束时温度作为第二恒温段的温度，保温时长1~3h，期间保持通入5L/min~15L/min流量的氮气形成保护气氛；第三降温段以第二恒温段的温度为起始温度，按照1~3℃/min速率降低到脱羟阶段的温度；采用轴向气相沉积工艺或外部气相沉积工艺在所述玻璃棒的表层成型外包层，然后通过烧结，得到透明的光纤预制棒；将所述光纤预制棒拉丝成纤丝，所述纤丝经在退火保温条件下处理，得到光纤。
2.根据权利要求1所述的光纤的制备方法，其特征在于：所述内包层的厚度是芯层直径的1.0~3.0。
3.根据权利要求1所述的光纤的制备方法，其特征在于：所述中包层的厚度是芯层直径的1.0~3.0。
4.根据权利要求1所述的光纤的制备方法，其特征在于：所述氟化物包括SiF 4 、CF 4 、SF 6 、C 2 F 6 、SOF 2 、C 2 F 2 Cl 2 的一种或至少两种组合。
5.根据权利要求1所述的光纤的制备方法，其特征在于：脱羟阶段中温度控制在1000~1200℃，以500cc/min~1000cc/min流量通入Cl 2 和以10 L/min~30 L/min流量通入氦气形成反应气氛；烧结阶段，以脱羟阶段的温度为起始温度，以3~6℃/min的升温速率升至1300℃~1600℃，保持通入10 L/min~30 L/min流量的氦气形成保护气氛；玻璃化阶段，保持烧结阶段结束时温度3~6h，保持通入10 L/min~30 L/min流量的He形成保护气氛。
6.根据权利要求1所述的光纤的制备方法，其特征在于：所述拉丝的速度控制在2000m/min~3000 m/min之间，所述拉丝的张力控制在100g~200g之间。
7.根据权利要求1所述的光纤的制备方法，其特征在于：所述拉丝过程中处在退火保温条件下的纤丝长度为2~4m。
8.根据权利要求1所述的光纤的制备方法，其特征在于，所述预设剖面折射率特征为：中间芯层，半径4~6μm，相对二氧化硅的折射率为0.25~0.35%；内结构包层以及中结构包层，半径10~25μm，相对二氧化硅的折射率为-0.03~-0.06%；外包层，半径等于62.5μm，折射率为0-0.1%。
