1.一种基于分形纳米线表面结构的Si-APD光电探测器，其特征在于，包括：分形纳米线表面结构进光层P+区，位于分形纳米线表面结构进光层P+区下方的本征吸收层π区、位于本征吸收层π区下方的雪崩倍增层P区、位于雪崩倍增层P区下方的电极接触层N+区、位于本征吸收层π区两侧下方的保护环即N区、设置在分形纳米线表面结构进光层P+区上表面的上端电极以及电极接触层N+区下表面的下端电极；所述分形纳米线表面结构进光层P+区具有以随机分形分布的垂直硅纳米线的表面结构；所述分形纳米线表面结构进光层P+区的纳米线长度为2.6±0.3μm，表面覆盖率为50-60％，纳米线间最大孔直径范围为150-200nm；所述分形纳米线表面结构进光层P+区掺杂浓度范围为1×10 15 /cm 3 ～1×10 17 /cm 3 ，层厚1.2-10um；本征吸收层π区掺杂浓度范围为1×10 14 /cm 3 ～5×10 14 /cm 3 ，层厚10-20um；雪崩倍增层P区掺杂浓度范围为1×10 15 /cm 3 ～5×10 15 /cm 3 ，层厚0.1-6.5um；电极接触层N+区掺杂浓度范围为1×10 17 /cm 3 ～1×10 19 /cm 3 ，层厚0.1-1um；所述基于分形纳米线表面结构的Si-APD光电探测器的制备方法，包括如下步骤：a)预备表面清洁、干燥的硅单晶片衬底材料；b)将硅单晶片研磨抛光，并在衬底正面氧化生长1um-2um的SiO 2 膜层；c)在SiO 2 膜层表面旋涂上一层光刻胶，并利用掩模图形对光刻胶图形化，在SiO 2 膜层上光刻出保护环N区图形区域，去除未被保护的SiO2膜层形成保护环N区窗口；d)对扩散窗口进行磷扩散或离子注入形成保护环N区，掺杂浓度范围为1×10 14 /cm 3 ～2×10 17 /cm 3 ，保护环N区的结深为1.5um～3.5um，接着去除表面光刻胶；e)在SiO 2 膜层表面旋涂上一层光刻胶，并利用掩模图形对光刻胶图形化，在SiO 2 膜层上光刻出雪崩倍增层P区图形区域，去除未被保护的SiO2膜层形成雪崩倍增层P区窗口；f)对扩散窗口进行硼扩散或离子注入形成雪崩倍增层P区，掺杂浓度范围为1×10 15 /cm 3 ～5×10 15 /cm 3 ，雪崩倍增层P区的结深为0.1～6.5um，接着去除表面光刻胶；g)在SiO 2 膜层表面旋涂上一层光刻胶，并利用掩模图形对光刻胶图形化，在SiO 2 膜层上光刻出电极接触层N+区图形区域，去除未被保护的SiO2膜层形成电极接触层N+区窗口；h)对扩散窗口进行磷扩散或离子注入形成电极接触层N+区，掺杂浓度范围为1×10 17 /cm 3 ～1×10 19 /cm 3 ，电极接触层N+区结深为0.1-1um，接着去除表面光刻胶；i)进光层P+区离注入，形成进光层高浓度掺杂，注入粒子浓度为1×10 15 /cm 3 ～1×10 17 /cm 3 ，进光层P+区的结深为1.2-10um；j)激光退火，还原材料特性；k)使用高纯度金颗粒，通过电子束蒸发在室温下将2-3nm金层沉积到P+层上，通过在氢氟酸和H 2 O 2 的水溶液中蚀刻样品来形成Si分形纳米线表面结构，通过KI浸除器件表面Au；l)制备上端电极和下端电极，最终形成基于分形纳米线表面结构的Si-APD光电探测器。
2.根据权利要求1所述的基于分形纳米线表面结构的Si-APD光电探测器，其特征在于：所述上端电极和下端电极为金属薄膜电极，金属材料为铝(Al)、金(Au)或金铬合金(Au/Cr)。
3.根据权利要求1所述的基于分形纳米线表面结构的Si-APD光电探测器，其特征在于：所述保护环即N区防击穿功能通过改变所述雪崩倍增层P区和所述电极接触层N+区边缘设计为斜台实现。
