1.一种GaN功率器件输出特性的测试电路，其特征在于，所述电路包括：隔离驱动芯片、GaN功率开关器件VT1、第一RC吸收保护电路、电感L、驱动磁珠F ZB 、电阻R、待测GaN功率开关器件VT2、第二RC吸收保护电路、直流电源Vd和高隔离电源；所述隔离驱动芯片的副边供电端和所述高隔离电源的正向电压输出端连接；所述隔离驱动芯片的副边接地端和所述高隔离电源的负向电压输出端连接；所述高隔离电源的接地端和所述待测GaN功率开关器件VT2的源极连接；所述隔离驱动芯片的输出端和所述驱动磁珠F ZB 的一端连接；所述驱动磁珠F ZB 的另一端分别和所述待测GaN功率开关器件VT2的门极、所述电阻R的一端连接；所述电阻R的另一端和所述待测GaN功率开关器件VT2的源极连接；所述待测GaN功率开关器件VT2和所述第二RC吸收保护电路并联；所述GaN功率开关器件VT1的门极和其源极连接；所述GaN功率开关器件VT1分别和所述第一RC吸收保护电路、电感L并联；所述GaN功率开关器件VT1的源极和所述待测GaN功率开关器件VT2的漏极连接；所述第一RC吸收保护电路和所述第二RC吸收保护电路串联；所述直流电源Vd的正极和所述GaN功率开关器件VT1的漏极连接；所述直流电源Vd的负极和所述待测GaN功率开关器件VT2的源极连接；所述第一RC吸收保护电路包括：第一电阻R1和与所述第一电阻串联的第一电容C1；所述第二RC吸收保护电路包括：第二电阻R2和与所述第二电阻串联的第二电容C2。
2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述高隔离电源包括：输入电源、Boost升压电路、推挽电路、正压调节电路和负压调节电路；所述输入电源、Boost升压电路、推挽电路依次连接；所述正压调节电路与所述推挽电路的一个输出端连接，所述负压调节电路与所述推挽电路的另一个输出端连接；所述Boost升压电路，用于将输入电源输入的电压升高至50V，并为所述推挽电路提供50V的输入电压；所述推挽电路，用于将所述Boost升压电路输出的50V电压转换成正压输出和负压输出；所述正压调节电路，用于将所述推挽电路输出的正压输出调节为范围在5V～20V内的正向电压；所述负压调节电路，用于将所述推挽电路输出的负压输出调节为范围在-0.1V～-5V内的负向电压。
3.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述输入电源的电压范围为10V～30V。
4.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述隔离驱动芯片采用SI8230驱动芯片。
5.一种如权利要求1-4任一项所述测试电路的控制方法，其特征在于，所述方法包括：向所述隔离驱动芯片的输入端输入控制所述待测GaN功率开关器件VT2的驱动脉冲信号，并调节所述高隔离电源输出的正向电压为预设正向驱动电压，输出的负向电压为预设负向驱动电压；当所述控制所述待测GaN功率开关器件VT2的驱动脉冲信号为正时，获取所述预设正向驱动电压下待测GaN功率开关器件VT2漏源两端电压和漏极电流；当所述控制所述待测GaN功率开关器件VT2的驱动脉冲信号为负时，获取所述预设负向驱动电压下待测GaN功率开关器件VT2漏源两端电压和漏极电流。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述预设正向驱动电压的电压范围为5V～20V；所述预设负向驱动电压的电压范围为-0.1V～-5V。
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