光栅的刻蚀控制方法及装置

1.一种光栅的刻蚀控制方法，其特征在于，待刻蚀光栅包括非偏光栅，所述待刻蚀光栅包括第一薄膜层、第二薄膜层以及第三薄膜层，所述第一薄膜层覆盖在所述第二薄膜层上，所述第二薄膜层覆盖在所述第三薄膜层上，其中，所述第一薄膜层和所述第二薄膜层的厚度和为所述待刻蚀光栅的目标槽深，所述第三薄膜层的折射率大于或等于第一阈值，所述第二薄膜层和第三薄膜层的折射率差值大于或等于第二阈值；所述方法包括：在光栅刻蚀过程中，实时确定待刻蚀光栅的衍射效率；根据所述衍射效率，判断是否满足停止刻蚀的条件；在满足停止刻蚀的条件时，控制停止刻蚀,刻蚀过程包括多个刻蚀周期，其中，实时确定待刻蚀光栅的衍射效率，包括：实时确定所述待刻蚀光栅在各刻蚀周期的衍射效率；根据所述衍射效率，判断是否满足停止刻蚀的条件，包括：在预设个数的刻蚀周期之后，在确定衍射效率达到极值时，判断满足停止刻蚀的条件,刻蚀过程包括连续刻蚀；其中，实时确定待刻蚀光栅的衍射效率，包括：实时确定所述待刻蚀光栅在各刻蚀时刻的衍射效率；根据所述衍射效率，判断是否满足停止刻蚀的条件，包括：在预设的刻蚀时刻之后，在确定衍射效率达到极值时，判断满足停止刻蚀的条件。 2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述衍射效率，判断是否满足停止刻蚀的条件，包括：确定所述衍射效率是否达到极值；在所述衍射效率达到极值时，判断满足停止刻蚀的条件。 3.一种光栅的刻蚀控制装置，其特征在于，待刻蚀光栅包括非偏光栅，所述待刻蚀光栅包括第一薄膜层、第二薄膜层以及第三薄膜层，所述第一薄膜层覆盖在所述第二薄膜层上，所述第二薄膜层覆盖在所述第三薄膜层上，其中，所述第一薄膜层和所述第二薄膜层的厚度和为所述待刻蚀光栅的目标槽深，所述第三薄膜层的折射率大于或等于第一阈值，所述第二薄膜层和第三薄膜层的折射率差值大于或等于第二阈值；所述装置包括：衍射效率确定模块，用于在光栅刻蚀过程中，实时确定待刻蚀光栅的衍射效率；判断模块，用于根据所述衍射效率，判断是否满足停止刻蚀的条件；控制模块，用于在满足停止刻蚀的条件时，控制停止刻蚀；刻蚀过程包括多个刻蚀周期；所述判断模块包括：第一确定子模块，用于确定所述衍射效率是否达到极值；第一判断子模块，用于在所述衍射效率达到极值时，判断满足停止刻蚀的条件；其中，所述衍射效率确定模块包括：第二确定子模块，用于实时确定所述待刻蚀光栅在各刻蚀周期的衍射效率；所述判断模块包括：第二判断子模块，用于在预设个数的刻蚀周期之后，在确定衍射效率达到极值时，判断满足停止刻蚀的条件。 4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，刻蚀过程包括连续刻蚀，其中，所述衍射效率确定模块包括：第三确定子模块，用于实时确定所述待刻蚀光栅在各刻蚀时刻的衍射效率；所述判断模块包括：第三判断子模块，用于在预设的刻蚀时刻之后，在确定衍射效率达到极值时，判断满足停止刻蚀的条件。 5.一种光栅的刻蚀控制装置，其特征在于，包括：处理器；用于存储处理器可执行指令的存储器；其中，所述处理器被配置为：执行权利要求1至2中任意一项所述的方法。 6.一种非易失性计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序指令，其特征在于，所述计算机程序指令被处理器执行时实现权利要求1至2中任意一项所述的方法。