1.一种基于惰性气体/氧等离子体的薄膜沉积方法，其特征在于，包括，将载气通入前驱体，收集夹带前驱体蒸汽的载气，所述载气为惰性气体；将夹带前驱体蒸汽的载气与激发气体混合，并进行等离子体处理，得到等离子体处理后的混合物，所述激发气体包括氧气；将等离子体处理后的混合物沉积于基板表面，控制所述基板的温度为60-150℃，在基板表面反应后得到沉积于基板上的薄膜；其中，所述载气的流量为30-500sccm；所述激发气体的流量为2-5slm；所述激发气体中氧气的流量为5-100sccm；所述前驱体包括，正硅酸四乙酯、六甲基二硅氧烷或四氯化钛中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积的时间为3-15min；所述惰性气体包括氩气。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述等离子体处理是以放电的形式对前驱体进行处理，所述放电的放电电压为6-15kV，放电频率为10-20kHz。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述基板的材料包括环氧树脂、聚苯乙烯、铜或铝。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述沉积之前，还包括对所述基板进行预处理的步骤，所述预处理为，对所述基板依次进行擦拭、超声清洗和真空干燥。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述超声清洗的温度为65-75℃，时间为20-30min；所述真空干燥的压力为2.8-3.2KPa，温度为68-80℃，时间为8-11h。
7.一种基于惰性气体/氧等离子体的薄膜沉积装置，其特征在于，包括惰性气体提供装置和氧气提供装置，还包括，前驱体储液装置，其进气口与所述惰性气体提供装置连通，以通过惰性气体将前驱体从所述前驱体储液装置中带出；等离子体处理装置，包括内管、套设于所述内管外且两端开口的外管，以及置于所述内管内的高压电极，所述外管的侧壁上开设开口，所述氧气提供装置通过管路与所述开口连通，所述前驱体储液装置的出气口与所述氧气提供装置和所述开口之间的管路连通；基板及加热所述基板的加热装置，所述基板与所述外管的一开口端相对设置，所述高压电极电离进入所述外管中的物质，并通过所述开口端沉积于所述基板上。
8.根据权利要求7所述的薄膜沉积装置，其特征在于，所述加热装置为加热平台，所述基板置于所述加热平台上，所述开口端与所述加热平台之间的间距为10-30mm；所述高压电极的两端均伸出所述外管。
