1.一种融合型存储器的写入方法，该融合型存储器包括多个存储单元，各存储单元块体衬底；衬底上方的源极、漏极和源极漏极之间延伸的沟道区；第一界面层，位于沟道之上；铁电层，位于第一界面层之上；第二界面层，位于铁电层之上；栅极，位于第二界面层之上；其中，所述写入方法包括：在至少一个所述存储单元的栅极和块体之间施加第一电压，所述第一电压小于所述铁电层发生极化翻转的翻转电压；所述源极和漏极分别为接地或者为浮置状态；在至少一个的所述存储单元的栅极和块体之间施加第二电压，所述第二电压大于所述铁电层发生极化翻转的翻转电压；且所述源极为接地状态，所述栅极为正电压状态。
2.根据权利要求1所述的写入方法，其特征在于，所述第一电压为正，该第一电压介于0.5V至3V之间。
3.根据权利要求1所述的写入方法，其特征在于，所述第二电压为正，该第二电压介于3V至10V之间。
4.根据权利要求1所述的写入方法，其特征在于，所述第一电压的施加方式为在所述栅极施加正向的第一电压，使所述块体的电压为接地状态。
5.根据权利要求1所述的写入方法，其特征在于，所述第二电压的施加方式为在所述栅极施加正向的第二电压，使所述块体的电压为接地状态。
6.根据权利要求1所述的写入方法，其特征在于，还包括：通过调整第一电压大小和/或改变铁电层晶格缺陷调整对应存储单元的阈值电压。
7.根据权利要求1所述的写入方法，其特征在于，还包括：通过调整第二电压和/或使极化翻转调整对应存储单元的阈值电压。
8.根据权利要求1所述的写入方法，其特征在于，还包括：施加读取电压，为阈值电压调节区间的中间值。
9.一种用于融合型存储器的擦除方法，该融合型存储器包括多个存储单元，各存储单元块体衬底；衬底上方的源极、漏极和源极漏极之间延伸的沟道区；第一界面层，位于沟道之上；铁电层，位于第一界面层之上；第二界面层，位于铁电层之上；栅极，位于第二界面层之上；其中，所述擦除方法包括：在至少一个的所述存储单元的栅极和块体之间施加第三电压，所述第三电压绝对值小于所述铁电层发生极化翻转的翻转电压；在至少一个的所述存储单元的栅极和块体之间施加第四电压，所述第四电压绝对值大于所述铁电层发生极化翻转的翻转电压；所述源极和漏极分别为接地或者为浮置状态。
10.根据权利要求9所述的擦除方法，其特征在于，所述第三电压为负，该第三电压介于-1V至-3V之间。
11.根据权利要求9所述的擦除方法，其特征在于，所述第四电压为负，该第四电压介于-3V至-10V之间。
12.根据权利要求9所述的擦除方法，其特征在于，所述第三电压的施加方式为在所述栅极施加反向的电压，使所述块体的电压为接地状态。
13.根据权利要求9所述的擦除方法，其特征在于，所述第四电压的施加方式为在所述栅极施加反向的电压，使所述块体的电压为接地状态。
14.一种用于融合型存储器的处理方法，包括权利要求1所述的写入方法和权利要求9所述的擦除方法。
