1.一种太赫兹探测器，包括：基底；以及至少一个探测单元，每个所述探测单元均包括：沟道材料，所述沟道材料设置在所述基底上，两个电极，两个所述电极分别与所述沟道材料的纵向方向的两端欧姆接触，和三维石墨烯，所述三维石墨烯位于所述沟道材料的纵向方向的一端并与所述沟道材料直接或间接地热接触。
2.根据权利要求1所述的太赫兹探测器，其中，所述三维石墨烯设置在所述沟道材料与所述电极的接触处。
3.根据权利要求1所述的太赫兹探测器，其中，所述基底呈U形结构，所述沟道材料的纵向方向的两端分别固定在所述U形结构的两个侧部上，所述三维石墨烯设置在所述U形结构的底部和所述沟道材料之间。
4.根据权利要求1所述的太赫兹探测器，其中，所述三维石墨烯粘合到所述沟道材料上。
5.根据权利要求1所述的太赫兹探测器，其中，每个所述电极的两端在垂直于所述沟道材料的纵向方向上延伸到所述沟道材料的外侧，并与所述基底连接。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的太赫兹探测器，其中，所述三维石墨烯呈长方体结构，所述长方体结构的长边平行于所述沟道材料的纵向方向。
7.根据权利要求1所述的太赫兹探测器，其中，所述基底包括间隔一定距离设置的第一基底和第二基底，每个所述探测单元的所述沟道材料的纵向方向的第一端与所述第一基底连接，所述沟道材料的纵向方向的第二端从所述第二基底的远离所述第一基底的一侧伸出，每个所述探测单元的两个所述电极分别设置在所述第一基底和所述第二基底上，所述三维石墨烯设置在所述第二基底上，并与所述沟道材料的从所述第二基底穿出的第二端热接触。
8.根据权利要求1所述的太赫兹探测器，其中，所述基底包括第一基底以及与所述第一基底间隔一定距离设置的至少一个第二基底，所述至少一个探测单元与所述至少一个第二基底一一对应设置，其中每个所述探测单元的所述沟道材料设置在所述第二基底上，每个所述探测单元的两个所述电极的第一端与所述第一基底连接，并从所述第一基底的远离所述第二基底的一侧伸出，两个所述电极的第二端与设置在所述第二基底上的沟道材料的纵向方向的两端欧姆接触，所述三维石墨烯设置在所述第二基底上。
9.根据权利要求8所述的太赫兹探测器，其中，还包括绝缘导热层，所述绝缘导热层设置在所述沟道材料和所述三维石墨烯之间。
10.根据权利要求8所述的太赫兹探测器，其中，每个所述电极的第一端均设置有渐缩的针脚结构。
11.根据权利要求7-10中任一项所述的太赫兹探测器，其中，多个所述探测单元呈面阵排布或线阵排布。
12.一种太赫兹探测器的制造方法，包括以下步骤：制备沟道材料；将所述沟道材料转移到基底上；在所述沟道材料的两端制作两个电极；制备三维石墨烯；将所述三维石墨烯固定到所述沟道材料上，其中所述三维石墨烯位于所述沟道材料的纵向方向的一端并与所述沟道材料直接或间接地热接触。
