1.一种吸/透特性石墨烯频选复合超材料周期结构，其特征在于：包括两块非导电材料制成的介质基板、两层的石墨烯周期结构和一层频率选择表面，两层石墨烯周期结构分别附于上基板的上表面和下基板的下表面，频率选择表面夹于上基板的下表面和下基板的上表面之间；所述复合超材料周期结构被虚拟地划分为多个周期性排布的正方形单元结构(10)，正方形单元结构(10)包括两个介质基板(11)和(12)、分别附于介质基板(11)和(12)上下面的石墨烯微单元结构(13)和(14)，及两介质基板中间夹着的频率选择表面微单元结构(15)；石墨烯微单元结构(13)由九个正方形石墨烯结构(131)和一个正方形石墨烯环(132)构成，九个正方形石墨烯结构(131)以正方形单元结构(10)的中心为对称中心，并等间距排列，正方形石墨烯环(132)的中心与正方形单元结构(10)的中心重合；频率选择表面微单元结构(15)上有四个相同的十字——圆环微结构(151)，所述十字——圆环微结构(151)里包含三个同心圆环状缝隙(1511)、(1512)和(1513)以及一个十字状缝隙(1514)；石墨烯微单元结构(13)和(14)结构一致。
2.根据权利要求1所述的一种吸/透特性石墨烯频选复合超材料周期结构，其特征在于：频率选择表面可以附着在上基板的下表面，也可附着在下基板的上表面。
3.根据权利要求1所述的一种吸/透特性石墨烯频选复合超材料周期结构，其特征在于：所述石墨烯微单元结构(13)和(14)的石墨烯材料的电化学势为0.3～0.5eV。
4.根据权利要求3所述的一种吸/透特性石墨烯频选复合超材料周期结构，其特征在于：所述正方形单元结构(10)的边长均为12～18毫米，介质基板(11)和(12)的厚度相同，均为1.5～2.5毫米，频率选择表面微单元结构(15)为金属箔，厚度为0.035毫米；所述石墨烯微单元结构(13)中的单个正方形石墨烯结构(131)的长度为2～3毫米，相邻的两个正方形石墨烯结构(131)之间的间距为0.4～1毫米，单个正方形石墨烯环(132)的长度为6～9毫米，宽度为0.2～0.6毫米；所述十字——圆环微结构(151)的圆环状缝隙(1511)的内半径均为1.2～1.6毫米，圆环宽度为0.15～0.25毫米，所述圆环状缝隙(1512)的内半径为1.5～2.1毫米，圆环宽度为0.15～0.25毫米，所述圆环状缝隙(1513)的内半径为1.8～2.4毫米，圆环宽度为0.15～0.25毫米，所述十字——圆环微结构(151)的十字状缝隙(1514)的长度为2.2～3毫米，宽度为0.2～0.6毫米。
5.根据权利要求1所述的一种吸/透特性石墨烯频选复合超材料周期结构，其特征在于：介质基板的非导电材料采用硅材料，频率选择表面微单元结构(15)选择金箔或银箔或铜箔中的一种。
6.根据权利要求1所述的一种吸/透特性石墨烯频选复合超材料周期结构制成的天线罩，其特征在于：天线罩整体采用吸/透特性石墨烯频选复合超材料周期结构制成，并罩设在天线的辐射方向上。
